当前位置:首页 > 计算机组成原理期末典型例题及答案 - 图文
解:
5. 用16K×1位的动态RAM芯片构成64K×8位的存储器,要求: (1)画出该存储器组成的逻辑框图
(2)设存储器的读写周期均为0.5μs,CPU在1μs 内至少要访问内存一次。试问采用那种刷新方式比较合理?两次刷新的最大时间间隔是多少?对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少? 解:
(1)根据题意,存储器总容量为64KB,故地址线总需16位。现使用16K×1位的DRAM芯片,共需32片。芯片本身地址线占14位,所以采用位并联与地址串联相结合的方法来组成整个存储器 ,其组成逻辑框图如图所示,其中使用一片
2:4译码器
(2) 根据已知条件,CPU在1μs内至少需要访存一次,所以整个存储器的平均读/写周期与单个存储器片的读/写周期相差不多,应采用异步式刷新方式比较合理。
DRAM存储器来讲,两次刷新的最大时间间隔是2ms.
DRAM芯片读/写周期为0.5μs。假定16K×1位的RAM芯片由128×128矩阵存储元构成,刷新时只对128行进行异步式刷新,则刷新间隔为2ms/128 =15.6μs,可取刷新信号周期为15μs .
6.某16位机运算器框图如图所示,其中ALU为加法器,SA,SB为锁存器,4个通用寄存器的读/写控制符号如下表所示:
1) 请设计微指令格式(具体考虑控制字段,顺序控制字段只画框图) 2) “ADD R0,R1”指令完成(R0) + (R1) ? R1的操作,画出微程序流程图. 解:
(1)微指令格式如下:
1 2位 1 2位 1 1 1 1 1 1 R RA0RA1 W WA0WA1 LDSA LDSB LSB LSB reset I P字段 下址字段 其中LDSA,LDSB为锁存器打入信号, /CLR为SB清零信号;
LSB为SB送原码控制信号, /LSB为SB送反码控制信号; I为公共微程序信号 (2)流程图如图:
7. 某计算机的数据通路如图所示,其中M—主存, MBR—主存数据寄存器, MAR—主存地址寄存器, R0-R3—通用寄存器, IR—指令寄存器, PC—程序计数器(具有自增能力), C、D—暂存器, ALU—算术逻辑单元(此处做加法器看待), 移位器—左移、右移、直通传送。所有双向箭头表示信息可以双向传送。 请按数据通路图画出“ADD(R1),(R2)+”指令的指令周期流程图。该指令的含义是两个数进行求和操作。其中源操作地址在寄存器R1中,目的操作数寻址方式为自增型寄存器间接寻址(先取地址后加1)。
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