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第5章 存储系统单元测试题

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  • 2025/5/7 18:07:37

任课教师:王克朝

哈尔滨学院2014年秋季学期单元测试试卷

课程名称:计算机组成原理 单元名称:第五章 存储系统

一、填空题

1.在多级存储体系中,Cache的主要功能是________,虚拟存储器的主要功能是________。 2.SRAM靠________存储信息,DRAM靠________存储信息。________存储器需要定时刷新。 3.动态半导体存储器的刷新一般有________、________和________。 4.一个512KB的存储器,其地址线和数据线的总和是________。

5.若RAM芯片内有1024个单元,用单译码方式,地址译码器有________条输出线;用双译码方式,地址译码器有________条输出线。

6.高速缓冲存储器中保存的信息是主存信息的________。

二、选择题

1.在磁盘和磁带这两种磁介质存储器中,存取时间与存储单元的物理位置有关,按存储方式分____。

A.二者都是顺序存取 B.二者都是直接存取

C.磁盘是直接存取,磁带是顺序存取 D.磁带是直接存取,磁盘是顺序存取 2.存储器进行一次完整的读写操作所需要的全部时间称为____。

A.存取时间

B.存取周期

C.CPU周期

D.机器周期

3.若存储周期250ns,每次读出16位,则该存储器的数据传送率为____。

A.4×106B/s C.8×106B/s

B.4MB/s D.8MB/s

4.用户程序存放的贮存空间属于______。

A.随机存取存储器 C.顺序存取存储器

B.只读存储器 D.直接存取存储器

5.以下哪种类型的存储器速度最快______。

A.DRAM

B.ROM

C.EPROM

D.SRAM

6.以下说法中正确的是______。

A.半导体RAM信息可读可写,且断电后仍能保持记忆

第1页(共7页)

任课教师:王克朝

B.动态RAM是易失性RAM,而静态RAM中的存储信息是不易失的 C.半导体RAM是易失性RAM,但只要电源不断电,所存信息时是不丢失的 D.半导体RAM是非易失性的RAM

7.若数据在存储器中采用以低字节地址为字地址的存放方式,则十六进制数12345678H的存储字节顺序按地址由小到大依次为__________。

A.12345678

B.78563412

C.87654321

D.34127856

8.在对破坏性读出的存储器进行读写操作时,为维持原存信息不变,必须辅以的操作是__________。

A.刷新

B.再生

C.写保护

D.主存校验

9.动态RAM的刷新是以_______为单位进行的

A.存储单元

B.行

C.列

D.存储位

10.SRAM芯片,其容量为1024×8,除电源和接地端外,该芯片最少引出线为______

A.16

B.17

C.20

D.21

11.存储其容量为32K×16,则________。

A.地址线为16根,数据线为32根 C.地址线为15根,数据线为16根

B.地址线为32根,数据线为16根 D.地址线为16根,数据线为15根

12.某计算机字长为32位,存储器容量为4MB,若按字编址,其寻址范围为0到________。

A.220-1

B.221-1

C.223-1

D.224-1

13.设机器字长32位,一个容量为16MB的存储器,CPU按半字寻址,其可寻址的单元数是________。

A.224

B.2

23

C.2

22

D.2

21

14.下述说法正确的是_________。

A.EPROM是可改写的,因而也是随机存储器的一种 B.EPROM是可改写的,但它不能用作为随机存储器用 C.EPROM只能改写一次,故不能作为随机存储器用 D.EPROM是只能改写一次的只读存储器 15.通常计算机的主存储器可采用________。

A.RAM和ROM

B.ROM

C.RAM

D.RAM或ROM

16.存储器采用部分译码法片选时________。

A.不需要地址译码器 C.会产生地址重叠

B.不能充分利用存储器空间 D.CPU的地址线全参与译码

17.双端口存储器发生读/写冲突情况是________。

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任课教师:王克朝

A.左端口与右端口的地址码不同 C.左端口与右端口的数据码不同

B.左端口与右端口的地址码相同 D.左端口与右端口的数据码相同

18.如果一个存储单元被访问,则可能这个存储单元会很快再次被访问,这称为________。

A.时间局部性

B.空间局部性

C.程序局部性

D.数据局部性

19.在主存和CPU之间增加高速缓冲存储器的目的是_________。

A.解决CPU和主存之间的速度匹配问题 B.扩大主存容量

C.扩大CPU通用寄存器的数目

D.即扩大主存容量又扩大CPU中通过寄存器的数量

20.在程序的执行过程中,Cache与主存的地址映射是由________。

A.操作系统来管理的 C.由硬件自动完成的

B.程序员调度的

D.由软、硬件共同完成的

21.容量为64块的cache采用组相连映射方式,字块大小为128个字,每4块为一组。若主存4096块,且以字编址,那么主存地址和主存标记的位数分别为________。

A.16,6

B.17,6

C.18,8

D.19,8

22.采用虚拟存储器的目的_________。

A.提高主存的速度

B.扩大辅存的存取空间 D.扩大存储器的寻址空间

C.扩大主存的存取空间

23.从下列关于虚拟存储器的论述中,正确的是_______。

A.对应用程序员透明,对系统程序员不透明 B.对应用程序员不透明,对系统程序员透明 C.对应用程序员、系统程序员都不透明 D.对应用程序员、系统程序员都透明

24.在虚拟存储器中,辅存的编址方式是_______。

A.按信息块编址

B.按字编址

C.按字节编址

D.按位编址

25.虚拟存储器中的页表有快表和慢表之分,下面关于页表的叙述中正确的是_______。

A.快表与慢表 都存储在主存中,但快表比慢表容量小 B.快表采用了优化的搜索算法,因此查找速度快

C.快表比慢表的命中率高,因此快表可以得到更多的搜索结果 D.快表采用快速存储器件组成,按查找内容访问,因此比慢表查找速度快

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任课教师:王克朝

三、判断题

1.存取周期是指启动一次存储器操作到完成该操作所需的时间。

2.CPU访问存储器的时间是由存储体的容量决定的,存储容量越大,访问存储器所需时间就越长。访问存储器所需时间就越长。 3.随机存储器需要定时地进行刷新。

4.因为动态存储器是破坏性读出,所以必须不断地刷新。 5.断电后,RAM中的数据不会丢失。

6.集中刷新方式在刷新时间内并不影响CPU的读写操作。 7.动态RAM的异步刷新方式没有读写死区。 8.断电后,EEPROM中的数据不会丢失。

9.用1024×1芯片构成8KB存储器,CPU提供地址线A0~A15,其中A0为高位,则加到各芯片地址端的地址线是A0~A9。

10.用1024×1芯片组成8KB存储器,CPU提供地址线A15(高)~A,应由A15~A133(低)0位地址经译码产生片选信号。

11.一般情况下,ROM和RAM在存储体中是统一编址的。

12.用户编程的地址称为虚地址,通常虚地址的范围要比实地址大得多。

四、简答题

1.说明SRAM的组成结构,与SRAM相比,DRAM在电路组成上有什么不同之处? 2.DRAM存储器为什么要刷新?采用何种方式刷新?

3.存储器系统的层次结构可以解决什么问题?实现存储器层次结构的先决条是什么?用什么来度量?

五、分析题

1.某计算机系统字长32位,主存以字节编址,试画出存储器字地址和字节地址的分配情况示意图。

2.某存储器容量为4KB,其中:ROM 2KB,选用EPROM 2K×8;RAM 2K×8;RAM 2KM,选用RAM 1K×8;地址线A15~ A0。写出全部片选信号的逻辑式。

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