电子级多晶硅的生产工艺

电子级 多晶硅的生产工艺

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目录

摘要........................................................1. 1引言.......................................................1 2 多晶硅技术的特殊性及我国的差距...........................1 2.1 多晶硅技术的特殊性.....................................1 3 主要的多晶硅生产技术选择.................................2 3.1 SiCl4法.................................................2 3.2 SiH2Cl2法...............................................3 3.3 SiH4法..................................................3 3.4 SiHCl3法................................................4 4 电子级多晶硅流程..........................................5 4.1 第一代SiHCl3的生产流程..................................5 4.2 第二代多晶硅的生产流程..................................7

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4.3 第三代多晶硅生产流程....................................8 5 流床反应器和自由空间反应器................................10 6 结论......................................................11 7致谢........................................................11 参考文献.....................................................12

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电子级多晶硅的生产工艺

摘要: 就建设1000t电子级多晶硅厂的技术进行了探讨。对三氯氢硅法、四氯化硅法、二氯二氢硅法和硅烷法生产的多晶硅质量、安全性、运输和存贮的可行性、有用沉积比、沉积速率、一次转换率、生长温度、电耗和价格进行了对比;对还原或热分解使用的反应器即钟罩式反应器、流床反应器和自由空间反应器也进行了比较。介绍了用三氯氢硅钟罩式反应器法生产多晶硅三代流程。第三代多晶硅流程适于1000t/a级的电子级多晶硅生产。 关键词 多晶硅;三氯氢硅法;硅烷法;流程;生产 1.引言：

根据电子级多晶硅的需求,世界及中国电子级多晶硅的生产能力,市场竞争形势,多晶硅的体纯度和表面纯度以及生产成本。提出了占领市场必须具备的质量标准,能源消耗和材料消耗指标以及最终生产成本。本文将进一步讨论目前电子级多晶硅的各种关键技术和这些技术对比,从而提出在建设我国1000t电子级多晶硅工厂的技术建议。

2 多晶硅技术的特殊性及我国的差距 2.1 多晶硅技术的特殊性

电子级多晶硅的发展经历了将近50年的历程。各国都在十分保密的情况下发展各自的技术。国外有人说参观一个多晶硅工厂甚至比参观一个核工厂还要难,可见其保密性之严。电子级多晶硅的特点是高纯和量大,其纯度已达很高级别:受主杂质的原子分数仅为5×10,施主杂质的原子分数为15×10(国外的习惯表示法分别为50ppt和150ppt)。其生产能力于1965年达30t/a,1988年上升到5500t/a,2000年已达到26000t/a,这在凝聚态物质中是首屈一指的。生产如此大

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