哈工大微电子IC思考题、作业、提问总结1

4.单纯减小工艺特征尺寸对MOS器件会有哪些不良影响？ 5.4. 简述等比例缩小理论的基本思想。 5月13号 1、选择扩散电阻条宽时一般要考虑哪些因素？基区扩散电阻、基区沟道电阻和离子注入电阻各具有哪些优缺点？ 2、版图设计规则中的几何设计规则通常包括哪几类尺寸规则？举例说明。 3、 CMOS集成电路为什么需要抗闩锁设计?抗闩锁设计措施有哪些？ 5月24号 1.下列电路哪些可以采用CMOS基本工艺实现？哪些输出高电平可以达到电源电位？哪些输出低电平可以达到地电位VDD？哪些理想情况静态功耗为零？ 2. MOS集成电路为什么需要抗静电设计?对抗静电保护电路有哪些要求？ 3. 标准单元法与全定制法相比较有哪些优点。