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高频实验报告(一)
——单调谐小信号谐振放大器设计
组员
座位号 16 实验时间 周一上午
目录
一、 实验目的 ..................................................................................................................................... 3 二、 实验原理 ..................................................................................................................................... 3 2.1单调谐放大器的基本原理 ................................................................................................. 3 2.2主要性能指标及测量方法 ................................................................................................. 7 2.2.1谐振频率的测试 ............................................................................................................ 7 2.2.2电压增益的测试 ............................................................................................................ 8 2.2.3频率特性的测试 ............................................................................................................ 8 三、 设计方法 .................................................................................................................................. 11 四、 实验内容及参数设计 .......................................................................................................... 12 五、 实验参数测试及分析 .......................................................................................................... 16 六、 思考题 ................................................................................................. 错误!未定义书签。
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一、 实验目的
1. 熟悉小信号谐振放大器的工作原理。
2. 掌握小信号谐振放大器的工程设计方法。 3. 掌握小信号谐振放大器的调谐方法。
4. 掌握小信号谐振放大器幅频特性的测量方法。
5. 熟悉放大器静态工作点和集电极负载对谐振放大器幅频特性的影响。 二、
实验原理
调谐放大器的主要特点是晶体管的集电极负载不是纯电阻,而是由 L、C组成的并联谐振回路,由于LC并联谐振回路的阻抗随频率而变化,在谐振频率处、其阻抗是纯电阻,且达到最大值。因此,用并联谐振回路作集电极负载的调谐放大器在回路的谐振频率上具有最大的放大系数,稍离开此频率放大系数就迅速减小。因此用这种放大器就可以只放大我们所需要的某些频率信号,而抑止不需要的信号或外界干扰信号。正因如此,调谐放大器在无线电通讯等方面被广泛地用作高频和中频选频放大器。
调谐放大器的电路形式很多,但基本的电路单元只有两种:一种是单调谐放大器,一种是双调谐放大器。这里先讨论单调谐放大器。
2.1单调谐放大器的基本原理
典型的单调谐放大器电路如图1.1所示。图中R1, R2 是直流偏置电阻;LC并联谐振回路为晶体管的集电极负载,Re是为提高工作点的稳定性而接入的直流负反馈电阻, Cb和Ce是对信号频率的旁路电容。输入信号Vs’经变压器耦合至晶体管发射结,放大后再由变压器耦合到外接负载RL,CL上。为了减小晶体管输出导纳对回路的影响,晶体管T1采用抽头接入。
VCCR1Vs’C123L45RLCLVsR2CbReCe
图1.1高频小信号谐振放大器电路
在低频电子电路中,我们经常采用混合π模型来描述晶体管。把晶体管内部的物理过程用集中元器件RLC表示。用这种物理模型的方法所涉及到的物理等效电路就是所谓的π参数等效电路。混合π 参数是晶体管物理参数,与频率无关,物理概念清楚。但是由于输入输出相互牵制,在高频分析时不太方便。在
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高频电子线路的分析中,通常采用Y参数模型来描述晶体管。Y参数是一种网络参数,由于它将晶体管的输入输出分开,所以便于进行高频分析。Y参数与频率有关,但是通常高频小信号放大电路属于窄带放大电路,所以不影响Y参数的运用。Y参数本身可以通过混合π 参数换算,也可以通过专门的仪器进行测量。
晶体管混合π模型如下图所示
Cμbrbb'rb'eb'rb'cCπg vm b'ecrce
e图1.2混合π模型
其中rbb?是基极电阻,rb?e是发射结电阻,rb?c是集电结电阻,gm称为跨导
gm??0rb'e?Ic(mA)26(mV) (1-1)
C?为发射结电容,一般为几十皮法至几百皮法。C?为集电结电容,一般为
几皮法。
对于共发射极组态的三极管电路,Y参数定义如下:
??ib?yievb?yrevc (1-2) ?i?yv?yv?oecfeb?cyie?yoe?yfe?yre?ibvbicvcicvbibvcvc?0输出短路时的输入导纳输入短路时的输出导纳输出短路时的正向传输跨导输入短路时的反向传输跨导 (1-3)
vb?0vc?0vb?0ibvbyiey vre cyfe v bicyoevc
图1.3 晶体管Y参数模型
根据晶体管混合π参数模型,可得到 Y参数如下:
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