2013年天津大学硕士研究生微电子复试笔试试题

2013年天津大学硕士研究生微电子复试笔试试题

前两道为简单的英语选择题，建议大家把赵毅强翻译的那本半导体物理与器件最后的索引单词背一下，复试英语面试也会很有用，详细会在英语面试文档中说明 一．选择

1.The built-in potential barrier is related with__ A.ND B.NA C.T D.Ni E.

Eg

2.When a__voltage is applied to a pn junction.The forward-biased voltage will __the potential barrier,The __carrier will be injected into pn junction and become __ carrier.

A.forward-bias B inverse-bias C lower D rise E majority F minority 二． 问答

1.MOS阈值电压的定义是什么？影响因素有哪些？ 2.跨导的定义，表达式是什么？

3.解释MOSFET栅调制效应，雪崩击穿效应的特点？ 4.基区宽度调制效应，大注入效应对BJT输出特性的影响

三．CMOS设计

1.AB?CD 2.(E?F)A?B

四．互补CMOS组合逻辑电路的特点

五．大扇入电路的优化措施

六．解释C2MOS电路为什么对时间偏差不敏感？

七．首先解释建立时间和维持时间的定义；如图所示，两个D触发器的建立时间都为3ns，维持时间都为2ns，时钟到达Q端的传播延时为0.5ns，时钟频率为40MHz,一个反相器的延时为0.5ns，时钟抖动为0.5ns，求通过逻辑单元所允许的最大延时，最小延时

CLK input D Q logic D Q output