MEMS工艺考试试卷（B卷）

2007-2008学年第一学期末考试试题（B卷）

MEMS工艺

使用班级：05182401, 05182402, 05182403

得分 总分

一．填空（20分）[每题2分]

1、硅的杨氏模量与 相似。 2、硅晶体的腐蚀在 方向最慢。 3、硅晶体的晶格长度为 nm。

4、常用的光刻中的紫外线光源的i线是 nm。 5、在模拟实验中，氧化温度是 。 6、一般来讲，湿法腐蚀比干法腐蚀快 倍。 7、表面微制造中最常用的结构材料是 。 8、粘附现象存在于 。

9、成本最低的微制造工艺是 。

10、在曝光后不被溶解的光刻胶是 。 得分

二、选择题（20分）[每题2分]

1、LIGA工艺制造MEMS，采用的材料（ ） （A）限于硅；（B）限于陶瓷；（C）对材料几乎没有限制 2、硅晶体的晶格长度为（ ）纳米 （A）0.543，（B）0.643，（C）0.743

3、扩散用于对半导体的参杂，它同离子注入过程相比（ ） （A）较慢 （B）较快 （C）同等速率

4、KOH腐蚀剂对SiO2的腐蚀速率要比对硅的腐蚀速率慢（ ） （A）100倍；（B）1000倍；（C）20，000倍； 5、LIGA工艺的主要优势之一是它能够产生（ ） （A）高深宽比的微结构；（B）低成本的微结构；(C)尺寸精确的微结构 6、粘附存在于（ ） （A）体硅微制造；（B）表面微制造；（C）激光微加工 7、在室温下进行的导线连结技术是（ ） （A）热压，（B）楔形-楔形超声键合，（C）热声键合 8、硅的过分掺杂会导致（ ） （A）残余应力；（B）p-n 掺杂硅；（C）硅基底中的原子键断裂

9、同步x-射线在LIGA工艺中用于光刻的原因是（ ） （A）它对光刻胶更有效；（B）它是更便宜的光源；（C）它能深入光刻胶材料 10、SOI是代表（ ） （A）离子分裂，（B）绝缘物上的硅，（C）绝缘物下的基质 得分

三、简答题（30分）[每题6分]

1、简述干氧氧化、湿氧氧化和水汽氧化的异同

2、何谓CVD? 常用的有哪几种CVD？

3、简述各向异性腐蚀时（100）面与（111）面腐蚀速度差异比较大的原因

4、简述离子注入设备的各个部分的名称和功用

5、简述引线键合的作用，有哪几种引线键合 得分

四、论述题（30分）[每题15分]

1、 论述双面光刻是如何进行对准的？对准符号有哪些？

15分） （

2、 论述粘附现象产生的原因及其预防措施（15分）