IC工艺原理期末复习资料打印版

3、 AL适合集成电路制造的特性 1、室温下的电阻率仅为2.7μΩ·cm；2、与n+和p+硅或多晶硅的欧姆接触电阻可低至10-6Ω/cm2；3、与硅和磷硅玻璃的附着性很好；4、易于淀积和刻蚀。

4、 Al-si接触中谁向对方扩散？si在Al中扩散。 5、 结合问题4和公式9.11描述为什么会产生尖楔现象 6、 结合图9.4解释为什么厚sio2膜的尖楔现象较为突出？

7、 解决尖楔现象的方法 为了解决Al的尖楔问题，一般用Al-si合金代替纯Al作为接触和互连材料。

8、 什么是电迁移现象？在不改变al材料的情况下解决方法 电迁移现象本质是导体原子与通过该导体电子流之间存在相互作用，当一个铝金属离子被热激发处于晶体点阵电位分布的谷顶的时候，当将受到两个方向相反的作用力。解决方法：结构的影响和竹状结构的选择。

11、多层互联技术的引入有何优点（延迟，电容，集成度）？1、互连线的延迟时间正比于互连线长度的平方，使用多层互连可以邮箱降低互连系统中最长互连线的长度；2、当连线间隔小于0.6um以后，连线的总电容随时间间隔的缩小而增加，从而导致线延迟增加；3、由于芯片集成度的增加，芯片与芯片之间的信息传输可以减少，这可以使整个系统工作速度加快。 12、多层互联技术是如何降低寄生电容的？

第七章 光刻

光刻是将电路/器件图形转移到半导体的表面形成光刻胶图形；

暗场掩膜版：其石英版上大部分被铬援盖亮场掩膜版：有大面积透明的石英，只有很细的铬图形 30、数值孔径(NA)：透镜收集衍射光的能力。31、分辨率的计算R=K入/NA

31、影响分辨光刻胶上几何图形的能力的参数：波长、数值孔径和工艺因子。 32、焦深的计算DOF

2、Ulsi中对光刻的几点要求 1、高分辨率2、高灵敏度的光刻胶3、低缺陷4、精密的套刻对准5、对大尺寸硅片的加工。 3、涂胶前的si片处理方法 一般需要经过脱水烘焙并涂上用来增加光刻胶与硅片附着能力的化合物。

4、一般采用哪种方式涂胶？转速对涂胶有什么影响？旋转涂胶；选择不同的光刻胶盒合适的旋转速度可以得到所对应工艺所需胶膜。 5、前烘的作用（三点） 1、去除部分溶剂2、降低应力3、降低玷污。

6、前烘时间和温度控制不合适对光刻的影响 温度过低→溶剂含量高，延长前哄时间，降低工作效率。温度过高→胶变性。 7、 最优的前烘技术是？ 真空热平板烘烤

8、 曝光的工艺原理（p214） 1正胶：DQ(曝光) →乙炔酮→ICA羧酸（显影液，碱性）→中和反应 2负胶，树脂戊二烯（有机溶剂，光照，感光剂）→自由基连接戊二烯形成交联

9、 影响显影效果的主要因素 1曝光时间2前烘的温度和时间 3光刻胶的膜厚 4显影液的浓度 5显影液的温度 6显影液的搅动情况等

10.坚膜的主要作用 除去光刻胶中剩余的溶剂，增强光刻胶对硅片表面的附着力，同时提高光刻胶在刻蚀和离子注入过程中的抗蚀性和保护能力。

14、干法和湿法腐蚀的各自优缺点 湿法：优点：1、操作简单；2、成本低 缺点：1、形貌不好控，不适合大高度图形加工。干法：优点：图形形貌好，缺点：成本高，损伤。

15、光刻工艺的主要流程有哪几步？什么是光刻工艺的分辨率？从物理角度看，限制分辨率的因素是什么？最常用的曝光光源是什么?

答：光刻的工艺流程共分7步：（1）涂胶，（2）前烘，（3）曝光，（4）显影，（5）坚膜（6）刻蚀，（7）去胶。分辨率是指线条和间隔清晰可辨时每mm中的线对数。从物理的角度看，

第十章 刻蚀

刻蚀：用化学或物理的方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程。 目的：在涂胶的硅片上正确复制掩膜图形，最后实现图形的步骤。

刻蚀工艺的种类：湿法刻蚀：采用化学溶液，借助化学反应腐蚀硅片中无光刻胶覆盖的部分，要求光刻胶有较强的抗蚀能力。湿法腐蚀具有各向同性，造成侧向腐蚀。限制了器件尺寸向微细化发展，用于特征尺寸较大的刻蚀。干法刻蚀：把硅片表面曝露于气态中产生的等离子体，等离子体通过光刻胶中开出的窗口，与硅片发生物理或化学反应(或这两种反应)，从而去掉曝露的表面材料。 刻蚀的主要材料：Silicon、Dielectric、Metal

有图形刻蚀：采用掩蔽层(有图形的光刻胶)来定义要刻蚀掉的表面材料区域，只有硅片上被选择的这一部分在刻蚀过程中刻掉。如：栅、金属互连线、通孔、接触孔和沟槽。

无图形刻蚀、反刻或剥离：在整个硅片没有掩膜的情况下进行的，这种刻蚀工艺用于剥离掩蔽层(如STI氮化硅剥离和用于制备晶体管注入侧墙的硅化物工艺后钛的剥离)。

干法刻蚀与湿法刻蚀的比较 优点：刻蚀剖面各向异性，具有非常好的侧壁剖面控制；好的CD 控制（线宽）；最小的光刻胶脱落或粘附问题；好的片内、片间、批次间的刻蚀均匀性；较低的化学制品使用和处理费用。 缺点：干法刻蚀对下层材料的差的刻蚀选择比、等离子体引起器件损伤和昂贵的设备。

第十一章 扩散

扩散：掺杂总量及浓度分布受扩散时间和温度影响；形成特征尺寸较大；扩散温度较高，需氧化物或氮化物作为掩膜。离子注入：杂质总量及浓度分布受注入剂量、能量和推结时间及温度决定。适于小特征尺寸的芯片。注入温度较低，常用光刻胶作为掩膜。

离子注入的优点： 离子注入能精确控制掺杂的浓度分布和掺杂深度，易制作极低浓度和浅结 注入温度一般不超过400℃，退火温度也较低(650)℃，避免了高温过程带来的不利（如结的推移、热缺陷等） 离子注入可选出单一的杂质离子，保证了掺杂的纯度离子注入扩大了杂质的选择范围；掩蔽膜可用SiO2、金属膜或光刻胶 剂量在1011~1017离子/cm2较宽的范围内，同一平面内杂质分布的均匀性无固溶度限制 高温退火：激活杂质(950℃)，修复晶格损伤(500℃)

退火方法： 高温炉退火：800-1000度退火30分钟，导致杂质的再扩散 快速热退火：1000℃下短暂时间退火，减小瞬时增强扩散。 沟道效应：离子沿某些方向渗入的速度比其它方向大，使离子峰值在Si片更深处或呈现双峰值的杂质分布。 控制沟道效应的方法：注入时，倾斜硅片；掩蔽氧化层；硅预非晶化；使用质量较大的原子 倒掺杂阱：注入杂质浓度峰值在硅片表面下一定深度处，改进晶体管抵抗闩锁效应和穿通的能力

穿通：漏耗尽区向轻掺杂沟道区扩展，与源耗尽区连通的现象。防穿通注入的杂质位于临近源漏区的有源沟道下。

LDD：LDD注入在沟道边缘的界面区域产生复杂的横向和纵向杂质剖面。减小了结和沟道区间的电场，把结中的最大电场位置与沟道中的最大电流路径分离，以防止产生热载流子。

S/D注入：形成重掺杂区。As注入通常用来形成nMOS的源漏区；B或BF2注入用来形成pMOS的源漏区

多晶硅栅掺杂：在源漏区注入时，对多晶硅栅进行掺杂，以减小电阻。影响光刻线宽控制方法：低：填充高：去掉（磨削 传统平坦化技术：反刻 玻璃回流； 旋涂膜层

CMP技术的优点：全局平坦化；平坦化不同的材料；平坦化多层材料；减小严重表面起伏； 制作金属图形的方法之一；改善台阶覆盖不使用危险气体；减薄表面材料去除表面缺陷。

CMP技术的缺点 新技术，工艺难度稍大； 引入新缺陷；设备昂贵。

图形密度效应：图形间距窄的区域，即高图形密度区域，通常比宽图形间距区域的抛光速度快； 侵蚀：指在图形区域氧化物和金属被减簿，即抛光前后氧化层厚度的差。

1、扩散：将一定数量的某种杂志掺入到硅晶体中或其他半导体晶体中去，以改变点选性质。并视掺入的杂志数量，分布形式和深度都满足 2、扩散的几种形式 间隙式和替位式扩散

3、间隙式杂质，跳跃几率表达式 存在于晶格间隙的杂质称为间隙式杂质 表达式：Pi=γ0e-wi/kT

4、替位式杂质，跳跃几率表达式 占据晶格位置的外来原子称为替位式杂质，表达式：Pγ=γ0exp[(wv+ws)/kT].

5、为什么替位式杂质的运动相比间隙式杂质运动更为困难？因为替位式杂质首先要在近邻出现空位，同时还要求靠热涨落获得大于势垒高度Ws的能量才能实现替位运动。

6、菲克第一定律表述形式J=-D?C(x，t)/ ?x表述为：杂质在扩散流密度J正比于杂质浓度梯度，比例系数D定义为杂质在基体中的扩散系数

7、如何由菲克第一定律推出扩散系数的表达式 推导：在单位时间内，替位原子由x-a/2处单位面积上跳跃x+a/2处的粒子数目为：C（x-a/2，t）Pva，而由x+a/2处单位面积上跳到x-a/2处的粒子数目为：C（x+a/2，t）Pva，在t时刻，通过x处单位面积的净粒子数目，即粒子流密度为：J（x，t）=C（x-a/2，t）Pva-C（x+a/2，t）Pva=-a2Pv?C（x，t）/?x，由它与菲克第一定律比较：D=a2Pv，则：D=a2υ0exp[-（Ws+Wv）/kT]=D0exp（-ΔE/kT） 8、菲克第二定律的表达式?C(x，t)/ ?t=?(D?C(x,t)/ ?t)/ ?x

9、扩散的两种经典模型，各自的边界条件和初始条件 恒定表面源扩散：边界条件：①、C（0，t）=Cs，②、C（∞，t）=0；初始条件：C（x，0）=0，x>0；有限表面源扩散：边界条件：①、C（x，0）=0，x>h，②、C（∞，t）=0，初始条件：C（x，0）=Cs（0）=Q/h，0≤x≤h。 10、恒定源扩散的杂质浓度服从什么分布，其缺点？余误差函数分布，缺点很难通过温度来达到控制表面浓度Cs的目的。 11、有限表面源扩散杂质浓度服从什么分布？任何时刻的表面浓度是什么？高斯函数分布，Cs（t）=C（0，t）=Q/√ΠDt p＞0 12、为什么要用两步扩散法？希望得到低表面浓度的掺杂，但高温下杂质将发生固溶，使得表面浓度Cs大大高于预期值。

13、解释为什么在氧化层下方扩散能力得到加强？通过空位和间隙两种机制，在氧化界面附近产生大量间隙原子，过剩的间隙原子向内扩散同时，不断与空位复合，过剩的间隙原子浓度随温度而降低，表面处过剩间隙原子和替位原子相互作用，以替位-间隙交替运动。

14、什么是二维扩散？工艺生产中有什么启示 横向扩散与纵向扩散同时进行的扩散称为二维扩散。启示：由于横向扩散的存在，实际扩散区域要比二氧化硅窗口的尺寸大，其后果是硅内扩散区域之间的实际距离比由光刻版所确定的尺寸要小。 1、简述两步扩散的含义与目的。

答：为了同时满足对表面浓度、杂质总量以及结深等的要求，实际生产中常采用两步扩散工艺：第一步称为预扩散或预淀积，在较低的温度下，采用恒定表面源扩散方式在硅片表面扩散一层杂质原子，其分布为余误差涵数，目的在于控制扩散杂质总量；第二步称为主扩散或再分布，将表面已沉积杂质的硅片在较高温度下扩散，以控制扩散深度和表面浓度，主扩散的同时也往往进行氧化。

离子注入

1、离子注入的主要特点（优于扩散的） 纯度高；精确控制注入到硅中的掺杂原子数目；低温，工艺灵活对化合物半导体伤害小；掺杂深度可通过控制离子束能量

高低来实现；衬底温度较低；不受杂质在衬底材料中的固溶度限制；横向效应比热扩散小。

2、什么是lss模型 注入离子在靶内的能量损失分为两个彼此独立的过程：1、核碰撞（核阻止），2、电子碰撞（电子阻止），总能量损失是他们的和。 3、核阻止和电子阻止分别可视为哪两种模型？核阻止在电子屏蔽和库仑力作用下的弹性小球碰撞；电子阻止类似于黏滞气体的阻力。

5、注入离子的能量分为三个区域，分别作出解释 低能区：在这个区域中核阻止本领占主要地位，电子阻止可以被忽略。中能区：在一个比较宽的区域中，核阻止本领和电子阻止本领同等重要，必须同时考虑。高能区：在这个区域中，电子阻止本领占主要地位，核阻止本领可以忽略。

6、什么是沟道效应？怎么避免？当离子注入的方向与靶晶体的某个晶向平行时，就会出现注入深度大于在无定形靶中的深度的现象叫沟道效应。第一、偏移晶向一定的角度；第二、在靶材料表面覆盖一层无定形材料薄膜。

7、离子注入怎样形成浅结？预先非晶化是一种是吸纳浅洁的比较理想方法。在注入离子之前，先以重离子高剂量注入，使硅表面变为非晶的表面层，这种方法可以是沟道效应减到最小，与重损伤注入层相比，完全非晶化层在退火后有更好的晶体质量。

8、注入离子与靶原子碰撞时出现的几种情况 第一、若传递能量＜Ed，那么，就不可能有移位原子产生。被碰原子只在平衡位置振动，将获得的能量以振动能的形式传递给近邻原子，表现为宏观的热量。第二、在碰撞过程中，靶原子获得的能量大于Ed而小于2Ed，那么被碰原子本身可以离开晶格位置。称为移位原子，并留一个空位。第三、被碰原子本身移位之后，还具有很高的能量，在它的运动过程中，还可以使它碰撞的原子发生移位。

9、什么是级联碰撞？移位原子与入射离子碰撞而发生移位的原子，称为第一级反冲原子。与第一级反冲原子碰撞而移位的原子称为第二级反冲原子，依次类推，这种不断碰撞的现象叫级联碰撞。

10、注入离子在si衬底产生哪几种损伤？第一、在原本为完美晶体的硅中产生孤立的点缺陷或者缺陷群；第二、在晶体中形成局部的非晶区域；第三、由于注入离子引起损伤的积累而形成非晶层。

11、以B和AS为例计算80kev的轻离子与重离子对si衬底产生的损伤百分比 12、离子注入产生哪几种损伤？第一、简单晶格缺陷；第二、非晶层

13、退火的目的是什么？消除晶格损伤，并使注入的杂质转入替位位置以实现它激活。

14、什么是热退火？如果将注入有离子的硅片在一定温度下，经过适当时间的热处理，则Si片中的损伤就可能部分或绝大部分得到消除，少数载流子的寿命以这迁移率也会不同程度的得到恢复，掺入的杂质也得到一定比例的激活，这样的处理过程叫热退火。 热退火的机理（分无定形和非无定形区域两种作用机理

17、常规退火的缺点（快速退火的目的）不能完全消除缺陷，而且又会产生二次缺陷，高剂量注入时的电激活率也不够高；增加表面污染，杂质再分布，破坏了离子注入技术固有优点，硅片变形。

18、离子注入机中，怎样选择所需要的离子？离子源→离子分析器→加速管→扫描系统→工艺室 19、什么是硅片充电？如何解决（二次电子喷淋）？

20、如果电荷数为1的正离子，在电势差200kev的电场中运动，它的能量是多少？ 21、什么是投影射程？

2、扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么?

答：扩散杂质所形成的浓度分布：杂质掺杂主要是由高温的扩散方式来完成，杂质原子通过气相源或掺杂过的氧化物扩散或淀积到硅晶片的表面，这些杂质浓度将从表面到体内单调下降，而杂质分布主要是由温度与扩散时间来决定。离子注入杂质所形成的浓度分布：掺杂离子以离子束的形式注入半导体内，杂质浓度在半导体内有个峰值分布，杂质分布主要由离子质量和注入能量决定。

(1).离子注入掺杂的优势:相对于扩散工艺，离子注入的主要好处在于能更正确地控制掺杂原子数目、掺杂深度、横向扩散效应小和较低的工艺温度，较低的温度适合对化合物半导体进行掺杂，因为高温下化合物的组分可能发生变化，另外，较低的温度也使得二氧化硅、氮化硅、铝、光刻胶、多晶硅等都可以用作选择掺杂的掩蔽膜，热扩散方法的掩膜必须是耐高温材料。

(2)离子注入掺杂的缺点:主要副作用是离子碰撞引起的半导体晶格断裂或损伤。因此，后续的退化处理用来去除这些损伤。 3、简述离子注入工艺中退火的主要作用。

答：由于离子注入所造成的损伤区及畸形团，增加了散射中心及陷阱能级，使迁移率和寿命等半导体参数下降。此外，大部分的离子在被注入时并不位于替位位置，未退火之前的注入区域将呈显高阻区。为（１）激活被注入的离子（使其变成替位杂质）；（２）恢复有序的晶格结构（如果是无定形结构，就谈不上替位杂质与间隙杂质）,其目的是恢复迁移率（减少散射中心）和恢复寿命（减少缺陷能级，减少陷阱），必须在适当的时间与温度下将半导体退火。 4、简述沟道效应的含义及其对离子注入可能造成的影响如何避免？

答：对晶体进行离子注入时，当离子注入的方向与与晶体的某个晶向平行时，一些离子将沿沟道运动，受到的核阻止作用很小，而且沟道中的电子密度很低。受到的电子阻止也很小，这些离子的能量损损失率很低，注入深度就会大于无定形衬底中深度，这种现象称为沟道效应。

沟道效应的存在，使得离子注入的浓度很难精确控制，因为它会使离子注入的分布产生一个很厂的拖尾，偏离预计的高斯分布规律。

沟道效应降低的技巧：（1）、覆盖一层非晶体的表面层、将硅晶片转向或在硅晶片表面制造一个损伤的表层。（2）、将硅晶片偏离主平面5-10度，也能有防止离子进入沟道的效果。（3）、先注入大量硅或锗原子以破坏硅晶片表面，可在硅晶片表面产生一个随机层。 8、与普通溅射法相比，磁控溅射的特点是什么？

答：普通溅射法有两个缺点：一是溅射方法淀积薄膜的速率低；二是所需的工作气压较高，这两者综合效果是气体分子对薄膜产生的污染的可能性提高。 磁控溅射：使电子的路径不再是直线，而是螺旋线，增加了与气体原子发生碰撞的几率，在同样的电压和气压下可以提高电离的效率，提高了沉积速率．该方法淀积速率可比其他溅射方法高出一个数量级，薄膜质量好。这是磁场有效地提高了电子与气体分子的碰撞几率，因而工作气压可以明显下降，较低的气压条件下溅射原子被散射的几率减小。这一方面降低了薄膜污染的倾向，另一方面也将提高入射到衬底表面原子的能量，因而可以很到程度上改善薄膜质量。

11、IC工艺中常用的间隙填充方法有哪些?简述各种方法的原理

间隙填充方法：1)沉积/蚀刻/沉积，硅烷和臭氧-四乙氧基硅烷氧化物薄膜 2)保形性沉积，O3-四乙氧基硅烷和钨CVD 3)高密度等离子体 CVD

原理：1)沉积/蚀刻/沉积：先沉积一层SiO2膜，然后在沉积的间隙处进行蚀刻成一个“V”字形，最后在进行间隙填充。 2)保形性沉积：利用保形覆盖的方法在表面沉积相同厚度的薄膜。

3)高密度等离子体 CVD：利用重度的离子轰击通常保持间隙开口为倾斜的，而且沉积是由下而上沉积，沉积与蚀刻同时发生。 12、多层互联线间的绝缘层通常是哪种介质选择这种介质的依据是什么?能否用热氧化法或高温CVD工艺制备此介质?为什么? 答：多层互联线间的绝缘层通常使用的介质材料包括：以硅烷为源的CVD SiO2用TEOS 通过PECVD得到的SiO2 PECVD得到的氮化硅，SOG HDP-CVD SiO2 低k介质。 选择上述介质的依据是由于上述介质满足如下特点：

(1) 低介电常数;(2)高击穿电压;(3)低泄露电流，体电阻率大于 ；(4)低表面电导，表面电阻率大于 ；(5)不会吸湿；(6)低的薄膜导致的应力；(7)与铝膜的附着性要好，对附着性差的金属，在金属层与介质层之间需要使用衬垫层；(8)与上下介质层的附着性要好；(9)温度承受能力在500摄氏度以上；(10)易刻蚀（湿法或干法刻蚀）；(11)答应氢气氛围下加工没有电荷或偶极矩的聚集区；(12)没有金属离子；(13)好的台阶覆盖且不形成凹角；(14)好的厚度均匀性；(15)对掺杂的氧化层，好的掺杂均匀性；（16）低缺陷密度；(17)无挥发性残余物存在。

不能用热氧化法和高温CVD工艺制备此介质。1）热氧化法必须在硅表面才能形成二氧化硅，多层互联线间很少有这样的硅表面。2）多层互联线所用的金属材料大多不能承受过高的温度。如互联线材料铝，铝的熔点较低大约在400摄氏度，温度较高时就破坏了原有的走线。同时，由于工艺中的诸多现象受高温的影响。 13、画图说明IC工艺中的接触孔或通孔的金属化系统。

接触孔或通孔的金属化系统通常使用CVD钨方法和两步高温溅射铝这两种方法。

（1）使用CVD钨方法如图所示，通过沉积钨薄膜，进行回刻除去多余的钨，可以实现对垂直通孔很好的填充。为了增加钨与下层金属的附着能力，通常在CVD沉积钨之前需要生长一层TiN或TiW作为附着层，在回刻完成以后，为了避免钨与铝直接接触，还需要生长一层阻挡层，通常使用TiN。

（2）两步高温溅射铝法，利用铝在高温下具有的较高的表面迁移率，可以有很好的台阶覆盖能力的耐性，实现对垂直通孔的完全填充，一般先在较低温度下溅射生长一层钝铝，然后在较高温度（350~400℃）下溅射生长Al、Cu；第一层覆盖通孔的侧壁和底部，并作为第二层的种子层，第二层实现对通孔的完全填充。 14、简要说明IC制造的平坦化工艺的作用是什么？主要有哪些方式？并解释各种方式的详细内容。 在多层布线立体结构中，把成膜后的凸凹不平之处进行抛光研磨，使其局部或全局平坦化。

（a）关于ECMP(电化学机械研磨方法)，其工作步骤如下：首先，用电能使Cu氧化，再用络合剂使之生成Cu的络合物，最终研磨掉Cu络合物。从对加工面进行研磨 加工的原理观察，除了Cu的氧化方法之外，ECMP和CMP是同样的，而且加工面获得的平坦度性能也是同等水平。但是，ECMP的必要条件是底座盘应具备 导电性。

（b）关于电解研磨ECP方法，利用电镀的逆反应。从电场集中之处开始进行刻蚀，可获得平滑的研磨加工表面；但是，它能刻蚀平坦的区域只限于突起部分。 （c）关于化学蚀刻CE构成的平坦化技术，它是把Si的精细加工等领域里使用的各向异性刻蚀用湿式刻蚀法（Wet Etching）实现的。关于湿式刻蚀法虽然对于平坦化无能为力，但是，若把圆片一面旋转一面加工，则产生各向异性，体现出平坦化能力。 限制分辨率的因素是衍射。最长用的曝光光源是紫外光。

16、氮化硅的主要特点是什么？IC工艺中有哪些地方用到它？ 那为什么不使用氮化物作为PMD层？

（1）高介电强度 >1 x 107 V/cm、高介电常数 k = 7.0、对水气与可移动离子的阻挡性佳 (Na+)、氮化物紫外线无法穿透

（2）很适合于作钝化层，因为它有非常强的抗扩散能力尤其是纳和水汽在氮化硅中的扩散系数很小;通过PECVD可以制备出具有较低压应力的氮化硅膜;可以对底层金属进行保形覆盖;薄膜中的针孔很少.还可以作PSG 或 BPSG的扩散阻挡层

LPCVD氮化硅薄膜需要较高的沉积温度(700~800℃)可用作电容的介质层不适合作钝化层；PECVD氮化硅薄膜沉积温度低(200~400℃)适合作钝化层。

在ULSI中的主要应用：（1）集成电路最终钝化层和机械保护层（尤其是塑料封装的芯片）；（2）硅选择性氧化的掩蔽膜；（3）DRAM电容中作为O-N-O叠层介质中的一种绝缘材料；（4）作为MOSFETs的侧墙；（5）作为浅沟隔离的CMP停止层。

（3）氮化硅有较高的介电质常数；使用氮化硅当做互连线间的介电质会造成较长的RC 时间延迟，影响电路的速度；薄的氮化物层 (~ 200 A)在PMD的应用是当做扩散阻挡层防止磷与硼从BPSG扩散进入源极/漏极。

1.简述提高β的工艺途径1）：减小基区宽度，因为β与基取宽度成反比。2）：减小Rse/Rsb值，即发射区与基区掺杂浓度的比值要尽量大，这样可 提高发射极的注入效率。3）：减少复合，即要求载流子寿命大。可通过低温扩散、表面钝化等工艺来实现。