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南航考研模拟电子线路(模电)第一章02 - 图文

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电子线路基础输出特性曲线可分为四个区域:饱和区、放大区、截止区和击穿区。(1) 饱和区饱和区:三极管发射结正偏,集电结也正偏的工作状态。在uCE较小时(约0.3V以下),集电结正偏。随uCE增加,集电结正向电压减小,集电区电子注入基区而形成的集电极电流减小,结果是iC上升。显然,在这个区域内,iB已不再与iC成比例关系,且iC???iB。饱和压降:三极管自饱和区进入放大区时的电压uCE,用UCE(sat)表示,工程上,其值常取0.3V。2015/12/1641

hongfeng@nuaa.edu.cn

iBC?0电子线路基础(3) 截止区截止区:发射极电流iE?0以下的区域。当iE?0时,iC?ICBO,iB??ICBO。在截止区,三极管发射结反偏,集电结也反偏。(4) 击穿区iC当uCE足够大时,三极管发生反向击穿,迅速增大。2015/12/1642hongfeng@nuaa.edu.cn

电子线路基础1.3.4三极管的主要参数1.电流放大系数共基和共射直流电流放大系数定义分别为:IC?ICBOIC???IEIEIC?ICEOIC???IBIB共基和共射交流电流放大系数分别定义为:?iC???iE2015/12/16Q43?iC???iBQhongfeng@nuaa.edu.cn电子线路基础2.极间反向电流(1)反向饱和电流ICBOICBO表示发射极开路时,集电极和基极间的反向饱和电流。其大小取决于温度和少数载流子的浓度。2015/12/1644hongfeng@nuaa.edu.cn

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电子线路基础输出特性曲线可分为四个区域:饱和区、放大区、截止区和击穿区。(1) 饱和区饱和区:三极管发射结正偏,集电结也正偏的工作状态。在uCE较小时(约0.3V以下),集电结正偏。随uCE增加,集电结正向电压减小,集电区电子注入基区而形成的集电极电流减小,结果是iC上升。显然,在这个区域内,iB已不再与iC成比例关系,且iC???iB。饱和压降:三极管自饱和区进入放大区时的电压uCE,用UCE(sat)表示,工程上,其值常取0.3V。2015/12/1641hongfeng@nuaa.edu.cniBC?0电子线路基础(3) 截止区截止区:发射极电流iE?0以下的区域。当iE?0时,iC?ICBO,iB??ICBO。在截止区,三极管发射结反偏,集电结也反偏。(4) 击穿区iC当uCE足够大时,三极管发生反向击穿,迅速增大。2015/12/1642hong

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