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电力电子实习报告 - 图文

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  • 2025/5/3 22:09:30

作者:tianzhen

区的临界P称为峰点,与其对就的发射极电压和电流,分别称为峰点电压Vp和峰点电流Ip。Ip是正向漏电流,它是使单结晶体管导通所需的最小电流,显然Vp=ηVbb

(3)随着发射极电流ie不断上升,Ve不断下降,降到V点后,Ve不在降了,这点V称为谷点,与其对应的发射极电压和电流,称为谷点

电压,Vv和谷点电流Iv。

(4)过了V点后,发射极与第一基极间半导体内的载流子达到了饱和状态,所以uc继续增加时,ie便缓慢地上升,显然Vv是维持单结晶体管导通的最小发射极电压,如果Ve<Vv,管子重新截止。

单结晶体管的自振荡电路

电气信息工程学院

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作者:tianzhen

当时间t=0时,Uc=UE=0伏,单结晶体管截止,B2—B1间仅有较小的电流通过,因此在外电阻R1上产生的输出压降Uo也较小,如图所示。这时,工作电源将通过电阻R向电容C充电,使Uc指数上升。当Uc达到单结晶体管的峰点电压UP时(由于有R1的影响,实际上要略大于UP值),单结晶体管突然导通,为电容提供了一个时间常数较小的放电回路,电压Uc和放电电流iE开始迅速指数下降。当Uc降至单结晶体管的谷点电压UV时(实际上要略大于UV值),单结晶体管重又截止,但紧接着电源又开始重新对电容充电。这样周而复始,循环不已,从而在R1上形成了一个指数下降的尖脉冲序列。

相关数据计算

选取Kf=1.11,?=0o时,负载端电压Ud=0.9U2?变压器二次侧U2=25V,则变压器变比为K=晶闸管IT(AV)>

Uam=

22I1.57u1u21?COS?222025=

UKf→U2=25V

==8.8≈9

=

0.11.57=0.128A,取IT(AV)=0.2A

U2=

2×24=35.35V,取UTn=80V

变压器容量为S=U2×I2=25×0.1=2.5KVA

电气信息工程学院

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作者:tianzhen

可控单结晶体管触发电路原理图

可控单结晶体管触发电路PCB图

焊接电路板

按照原理图利用电烙铁焊接电路板,在焊接过程中注意焊接的强度以及布线的合理性,同时注意焊接的安全性。焊接二极管,晶闸管以及稳压管时要保证阳极阴极方向的正确,焊接单结晶体管的时候要

电气信息工程学院

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作者:tianzhen

保证三个管脚正确的焊接位置,B1管脚与R3,B2管脚与R2,E管脚与R5焊接在一起。

测电压 观测波形

接通电源,通过变压器降压接入二极管整流电路,用示波器分别观测电路图中A、B、E、F四点波形。 A点波形图

E点波形图

B点波形图

F点波形图

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作者:tianzhen 区的临界P称为峰点,与其对就的发射极电压和电流,分别称为峰点电压Vp和峰点电流Ip。Ip是正向漏电流,它是使单结晶体管导通所需的最小电流,显然Vp=ηVbb (3)随着发射极电流ie不断上升,Ve不断下降,降到V点后,Ve不在降了,这点V称为谷点,与其对应的发射极电压和电流,称为谷点电压,Vv和谷点电流Iv。 (4)过了V点后,发射极与第一基极间半导体内的载流子达到了饱和状态,所以uc继续增加时,ie便缓慢地上升,显然Vv是维持单结晶体管导通的最小发射极电压,如果Ve<Vv,管子重新截止。 单结晶体管的自振荡电路 电气信息工程学院 5 作者:tianzhen 当时间

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