基于MCNP的高纯锗探测器探测效率的模拟

南华大学船山学院毕业设计（论文）

图5.3 MCNP模拟高纯锗探测器Px截面图

这是其在Px方向下截面下的截面图，图中能清楚地看到我们通过MCNP的模拟，对探测器的外壳、Mount Cup、探测介质、冷指和死层等都得到了不错的模拟，并且能够更加直观地现实出探测器的单向同轴型。同时我们在源卡计数卡中使用了比较特殊的F8脉冲能量计数卡进行探测器探测效率的模拟的计算，这也是根据与高纯锗探测器的高分辨率、γ射线的全能峰的尖锐性和互相干扰性较少、探测效率的计算方便而特意选取的，其得出的数据即为探测器对γ射线的全能峰的源峰探测效率。

5.3输入文件inp的编写与分析

下面所给出的即为我们通过MCNP的模拟，对高纯锗探测器的探测效率的模拟的输入文件inp：

reactor description based on like but trcl card **张健新**USC C Cell Cards *******************************

1 1 -2.7 (1 -2 -19):(11 -12 -19):(-19 18 2 -11) imp:p=1 $Al外壳 2 2 -0.00124 (2 -3 -18):(10 -11 -18):(-18 17 3 -10) imp:p=1 $空气

3 1 -2.7 (3 -4 -17):(9 -10 -17):(-17 16 4 -9) imp:p=1 $mount cup 4 3 -0.53 (5 -8 -16 15):(4 -5 -16) imp:p=1 $Li死层

5 5 -5.32 (5 -6 -15):(-8 6 14 -15) imp:p=1 $探测介质Ge 6 4 -2.34 (6 -7 -14):(7 -8 13 -14) imp:p=1 $B冷指

第 16 页 共 28 页

南华大学船山学院毕业设计（论文）

7 2 -0.00124 (4 -9 -16)#4 #5 #6 imp:p=1 $空气 8 0 -20 #1 #2 #3 #4 #5 #6 #7 imp:p=1 9 0 20 imp:p=0

C Surface Cards ******************************* 1 py 0 2 py 0.127 3 py 1.427 4 py 2.703 5 py 2.823 6 py 4.013 7 py 4.0133 8 py 8.383 9 py 9.383 10 py 9.703 11 py 11.003 12 py 11.13 13 cy 0.3 14 cy 0.3003 15 cy 2.347 16 cy 2.465 17 cy 3.741 18 cy 5.041 19 cy 5.168 20 so 100

MODE P

SDEF POS=0 -15 0 ERG=1.408 RAD=0

C Data Cards ******************************* C Material Data Cards m1 13027 1 m2 7014 1 m3 3007 1 m4 5011 1 m5 32073 1 F8:P, 5

E8 0.001 1500i 1.5 NPS 10000000

第 17 页 共 28 页

南华大学船山学院毕业设计（论文）

我们对其进行简单的说明如下：

第 18 页 共 28 页

南华大学船山学院毕业设计（论文）

第 19 页 共 28 页