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一、单项选择题
1. 距一根载有电流为3×104 A的电线1 m处的磁感强度的大小为(B)
-- (A) 3×105 T. (B) 6×103 T.
- (C) 1.9×102T. (D) 0.6 T.
- (已知真空的磁导率?0 =4?×107 T·m/A)
?? 2. 一电子以速度v垂直地进入磁感强度为B的均匀磁场中,此电子在磁场中运
动轨道所围的面积内的磁通量将 (B) (A) 正比于B,反比于v2. (B) 反比于B,正比于v2.
(C) 正比于B,反比于v. (D) 反比于B,反比于v.
?v ?B ?3.有一矩形线圈AOCD,通以如图示方向的电流I,将它置于均匀磁场B中,?B的方向与x轴正方向一致,线圈平面与x轴之间的夹角为?,? < 90°.若
A y D O I ?n x AO边在y轴上,且线圈可绕y轴自由转动,则线圈将 (B)
C z (A) 转动使??角减小.
(B) 转动使?角增大. (C) 不会发生转动.
(D) 如何转动尚不能判定.
?4.如图所示,M、N为水平面内两根平行金属导轨,ab与cd为垂
B M直于导轨并可在其上自由滑动的两根直裸导线.外磁场垂直水平 d b面向上.当外力使ab向右平移时,cd (D) (A) 不动. (B) 转动. N c a (C) 向左移动. (D) 向右移动.
?? 5.如图,长度为l的直导线ab在均匀磁场B中以速度v移动,直 b l 导线ab中的电动势为 (D) ???? (A) Blv. (B) Blv sin?. B ? a (C) Blv cos?. (D) 0. v 6.已知一螺绕环的自感系数为L.若将该螺绕环锯成两个半环式的螺线 管,则两个半环螺线管的自感系数 (D)
???B 111L. (B) 有一个大于L,另一个小于L. 22211 (C) 都大于L. (D) 都小于L.
22 (A) 都等于
7.在双缝干涉实验中,屏幕E上的P点处是明条纹.若将缝S2盖住,并 在S1 S2连线的垂直平分面处放一高折射率介质反射面M,如图所示,则
S1 此时 (B)
S (A) P点处仍为明条纹.
S2 (B) P点处为暗条纹. (C) 不能确定P点处是明条纹还是暗条纹. (D) 无干涉条纹.
8. 在单缝夫琅禾费衍射实验中,若增大缝宽,其他条件不变,则中央明
条纹(A) (A) 宽度变小. (B) 宽度变大. (C) 宽度不变,且中心强度也不变.
P M E
(D) 宽度不变,但中心强度增大.
9.若用衍射光栅准确测定一单色可见光的波长,在下列各种光栅常数的光栅中选用哪一种最好? (D)
-- (A) 5.0×101 mm. (B) 1.0×101 mm.
--3
(C) 1.0×102 mm. (D) 1.0×10 mm.
10.下述说法中,正确的是 (C) (A) 本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参予导电,而杂质半导体(n型或p型)只有一种载流子(电子或空穴)参予导电,所以本征半导体导电性能比杂质半导体好.
(B) n型半导体的导电性能优于p型半导体,因为n型半导体是负电子导电,p型半导体是正离子导电. (C) n型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近空带(导带)的底部,使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到空带中去,大大提高了半导体导电性能.
(D) p型半导体的导电机构完全决定于满带中空穴的运动. 11.某质点的运动方程为 x?3t?5t?6(SI单位制 ),则该质点作( D )
(A)匀加速直线运动,加速度沿X轴正方向;
(B)匀加速直线运动,加速度沿X轴负方向; (C)变加速直线运动,加速度沿X轴正方向; (D)变加速直线运动,加速度沿X轴负方向. 12.某物体作一维运动,其运动规律为大小与时间的关系为( A )
(A)
3dv??kv2t,式中k为常数. 当t=0时,初速为v0,则该物体速度dt111121?kt?; (B) ??kt2?v0;
v2v2v01111??kt2?; (D) v?kt2?v0.
2v2v0(C)
??13.力F?12ti(N)作用在质量m=2kg的物体上,使物体由原点从静止开始运动,则它在3s末的速度为( B)
(A) ?27im/s; (B) 27im/s; (C) ?54im/s; (D) 54im/s.
14.一质点作简谐振动,当其偏离平衡位置的位移为振幅的八分之一时,其振动动能为振动总能量的 ( D)
(A)1/8; (B) 1/64; (C) 49/64; (D) 63/64. y 15.图示为一平面简谐波在t时刻的波形曲线,若此时A点处媒质质元 的振动动能在增大,则:(B )
B (A)A点处质元的弹性势能减小; x 0 A (B)波沿x轴负方向传播;
(C)B点处质元的振动动能减小;
(D)各点的波的能量都不随时间变化.
16.关于高斯定理的理解有下面几种说法,其中正确的是 ( C )
(A) 如果高斯面上E处处为零,则该面内必无电荷; (B) 如果高斯面内无电荷,则高斯面上E处处为零;
(C) 如果高斯面内有净电荷,则通过高斯面的电通量必不为零; (D) 如果高斯面上E处处不为零,则高斯面内必有电荷.
????17.真空中一半径为R的未带电的导体球,在离球心O的距离为a(a>R)处放一点电荷q,设无穷远处电势为0,如右图所示,则导体球的电势为( A ) (A)
q4??0a; (B)
q4??0R;
R o q qq(C); (D)
4??0?a?R?4??0?11????. ?aR?18.边长为L的一个导体方框上通有电流I,则此框中心的磁感应强度( C )
(A)与L无关; (B)正比于L ; (C)与L成反比; (D)与L成正比; (E)与I有关.
二、填空题 1
一根无限长直导线通有电流I,在P点处被弯成了一个半径为R的圆,且P
R 点处无交叉和接触,则圆心O处的磁感强度
O 大小为_______________________________________,方向为 I ______________________________.
P 2. 图示为三种不同的磁介质的B~H关系曲线,其中虚线表示的是B = Ba?0H的关系.说明a、b、c各代表哪一类磁介质的B~H关系曲线: a代表______________________________的B~H关系曲线.
b b代表______________________________的B~H关系曲线. c代表______________________________的B~H关系曲线. cH03.
一个中空的螺绕环上每厘米绕有20匝导线,当通以电流I =3 A时,环中磁
-场能量密度w =_____________ .(??0?=4?×107 N/A2) 4.
一平行板空气电容器的两极板都是半径为R的圆形导体片,在充电时,板间电场强度的变化率为dE/dt.若略去边缘效应,则两板间的位移电流为 ________________________. 5.
如图,在双缝干涉实验中,若把一厚度为e、折射率 eS1为n的薄云母片覆盖在S1缝上,中央明条纹将向__________移动;覆盖云
SO母片后,两束相干光至原中央明纹O处的光程差为__________________.
6. S2屏 某一波长的X光经物质散射后,其散射光中包含波长________和波长 SS1?SS2
__________的两种成分,其中___________的散射成分称为康普顿散射. 7.
设描述微观粒子运动的波函数为?(r,t),____________________________________________________________________;
??(r,t)须满足的条件是______________________________________;其归一化条 件是__________________________________________.
22?则??*表示
8.
在主量子数n =2,自旋磁量子数ms?数是_________________.
9.(二)一质点在x-y平面内运动,运动方程为:x?3cos4t?m?,y?3sin4t?m?,则t (单位s)时刻质点的位矢r(t)? ,速度v(t)? ,切向加速度a?? .
1的量子态中,能够填充的最大电子 2?????210.质量为0.5kg的质点,在X-Y平面内运动,其运动学方程为r?5ti?0.5tj(m),在t=2s到t=4s
这段时间内,外力对质点作的功为 3j .
11.质量为1.0?10?2kg的小球与轻弹簧组成系统,按x?0.1cos(8? t?2?/3)规律振动,式中t以秒计,x以米计,则小球的振动频率为 ;初位相为 ;任一时刻振动的总能量为 . 答: 1.
?0I1(1?) , 垂直纸面向里 2R?2. 铁磁质 顺磁质 抗磁质
-3. 22.6 J·m3 4.
?0?R2dE/dt
5. 上 (n-1)e
6. 不变 变长 波长变长 7.
粒子在t时刻在(x,y,z)处出现的概率密度 单值、有限、连续
????dxdydz?1
28. 4
9. r?t??3cos4ti?3sin4tj?m?; v?t???12sin4ti?12cos4tj?m/s?; 0 10. 3J 11. 4Hz;
2?; 3.16×10-2J 3三、计算题
1.用白光垂直照射置于空气中的厚度为0.50 ?m的玻璃片.玻璃片的折射率为1.50.在可见光范围内(400 nm ~ 760 nm)哪些波长的反射光有最大限度的增强?
-(1 nm=109 m) 答:
1??= k?, 22ne4ne3000 ?? nm ??12k?12k?1k?2解:加强, 2ne+
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