半导体物理综合练习题(2) - 图文

（c） 面心立方 （d） 金刚石结构 答：

9、 求图中所示平面的密勒指数

（a）123 （b）(123) （c）(321) （d）(321) （e）(632) 答：

??

10、在特殊半导体导带底之上电子状态所占的几率是e?10。求在已知材料内费米能级的位置。 （a）EF?Ec （b）Ec?EF?9kT

（c）Ec?EF?10kT （d）EF?Ec?kT 答：

11、在室温下，低掺杂硅的载流子散射机制主要是： （a）载流子-载流子散射 （b）晶格散射 （c）电离杂质散射 （d）压电散射 答： b

12、使用价键模型，描述（画出）施主的图像。 答：

13、使用能带图，描述（画出）T?0K时，位于施主上电子冻结的图像。 答：

14、说明为什么n型材料的电阻率比同样掺杂的p型材料电阻率要小很多。 答：

15、使用能带图，描述（画出）通过R?G中心复合的图像。 答：

16、如果MOSFET中内部状态如下图所示，在右图所示的ID?VD特性曲线上确定相应的工作点。

答：