半导体物理综合练习题(2) - 图文

1、 已知硅的晶格常数或单胞的边长a?5.43?10?8cm，求两个相邻硅原子之间的中心距离d。

2、 问：对于一个立方晶格：

(a)晶面和方向矢量如图所示，求密勒指数。

(b)画出晶面为（011）、晶向为[011]的晶面和方向矢量。

3、 问：

（a）1eV等于多少焦耳？

（b）在300K时，KT等于多少电子伏？ （c）在硅中施主和受主的电离能大约是多少？ （d）硅的Eg??

4、 导带边缘(Ec)被填满的状态几率正好等于价带边缘(Ev)空态的几率。此时费米能级在哪里？

5、 使用下图所给出的硅晶格单胞，回答下列问题：

（a）若如图所示，单胞的座标原点在立方体的后下方，通过点ABC的密勒指数是多少?

（b）由原点通过点D的方向矢量的密勒指数是多少？ （c）晶格常数为a，硅晶格中最近邻原子的距离是多少？ （d）修改硅的单胞图，使之显示出施主性质。 答：

6、 硅片中均匀掺入ND?1017/cm2施主杂质，在温度T?300k时保持热平衡条件不变，?p?10?6s。计算下表中硅片的性质。 答：

7、 在给出的能带图中，标出下列能级的通常位置，并给予必要的说明。 （a）Ei…本征费米能级 （b）ED…施主能级 （c）EA…受主能级 （d）ET…产生-复合中心

答：

8、 （1）如下图所示，单位立方格子四个垂直边的中点和上下底面的面心

分别有一个原子，在这个立方单元内有几个原子？

( 2 ) 问题（1）的立方单元，使用什么名字可表现该单元的特性？

（a） 简单立方 （b） 体心立方