第08章-离子注入工艺 - 图文

损伤与热退火

?晶格损伤

–高能量离子与晶格原子的碰撞，可以使数千晶格原子的位置偏离–损伤效应与剂量、能量和离子质量有关，并随剂量和能量的增大而增加–若注入剂量过高，离子射程内的晶体结构会完全被破坏成非晶态

?热退火

–晶格损伤必须在热退火过程中修复成单晶结构并激活掺杂物原子–温度较低时，扩散过程快于退火过程–温度较高时，退火过程快于扩散过程

–高温炉退火需要较长的时间，掺杂物原子的扩散十分严重

–快速加热退火(RTA)能使掺杂物的扩散减小到符合缩小元器件的条件

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单一离子造成的损伤

单一离子造成的损伤

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离子注入后退火的晶格变化

离子注入后退火形成的晶格变化

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高温炉和RTP退火中的扩散

高温炉和RTP退火工艺中的掺杂物扩散

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