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第08章-离子注入工艺 - 图文

投影离子的分布区域

硅衬底中离子的投影射程

硅中掺杂离子的投影射程

掺杂离子所需阻挡层厚度

200 keV掺杂离子所需的阻挡层厚度

通道效应

离子以合适的注入角度进入通道，只需有很少的能量就可以行进很长的距离

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投影离子的分布区域投影离子的分布区域21硅衬底中离子的投影射程硅中掺杂离子的投影射程22掺杂离子所需阻挡层厚度200 keV掺杂离子所需的阻挡层厚度23通道效应通道效应离子以合适的注入角度进入通道，只需有很少的能量就可以行进很长的距离241<<

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