第08章-离子注入工艺 - 图文

砷元素参数列表

名称砷原子符号As原子序数33原子量74.9216固态密度5.727 g/cm3摩尔体积12.95 cm3音速N/A电阻系数33μΩ·cm折射率1.001,552反射率N/A熔点817 ℃ (27.5 atm)沸点614 ℃ (升华)热传导系数50 W/(m·K)线性热膨胀系数N/A主要应用扩散、离子注入、外延生长和多晶硅沉积N型掺杂物主要来源As, AsH313

锑元素参数列表

名称锑原子符号Sb原子序数51原子量121.760固态密度6.697 g/cm3摩尔体积18.19 cm3音速3420 m/s电阻系数40 μΩ·cm折射率N/A反射率55%熔点630.63 ℃沸点1587 ℃热传导系数24 W/(m·K)热膨胀系数11?10-6K-1主要应用离子注入N型掺杂物主要来源Sb14

硼元素参数列表

名称硼原子符号B原子序数5原子量10.811固态密度2.460 g/cm3摩尔体积4.39 cm3音速16,200 m/s电阻系数>1012μΩ·cm折射率N/A反射率N/A熔点2076 ℃沸点3927 ℃热传导系数27 W/(m·K)热膨胀系数6?10-6K-1主要应用扩散、离子注入、外延生长和多晶硅沉积P型掺杂物硅玻璃(BPSG)化学气相沉积掺杂物主要来源B, B2H6, BF315

锗元素参数列表

名称锗原子符号Ge原子序数32原子量72.64固态密度5.323 g/cm3摩尔体积13.63 cm3音速5400 m/s电阻系数~50,000 μΩ·cm折射率N/A反射率N/A熔点938.3 ℃沸点2820 ℃热传导系数60 W/(m·K)热膨胀系数6?10-6K-1主要应用Ge和SiGe以及半导体衬底，非晶硅注入用Ge离子源主要来源Ge, GeH416