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第一章
1.1 在一本征硅中,掺入施主杂质,其浓度ND=2?10cm?3。
(1)求室温300K时自由电子和空穴的热平衡浓度值,并说明半导体为P型或N型。 (2 若再掺入受主杂质,其浓度NA=3?10cm?3(3)若ND=NA=10cm?3,,重复(1)。
(4)若ND=10cm?3,NA=10cm?3,重复(1)。
10解:(1)已知本征硅室温时热平衡载流子浓度值ni=1.5?10 cm
1614151414,重复(1)。
?3,施主杂质
ND=2?1014cm?3>> ni=1.5?1010 cm?3,所以可得多子自由浓度为
14?3 n0?ND=2?10cm
少子空穴浓度
n6?3 p0=i=1.125?10cm
n0该半导体为N型。
?3(2)因为NA?ND=1?10cm>>ni,所以多子空穴浓度 14?3 p0?1?10cm
142少子电子浓度
n6?3 n0=i=2.25?10cm
p0该半导体为P型。 (3)因为NA=ND,所以
10?3 p0= n0= ni=1.5?10cm
2该半导体为本征半导体。
161414?3(4)因为ND?NA=10?10=99?10(cm)>>ni,所以,多子自由电子浓度 14?3 n0=99?10 cm
空穴浓度
ni(1.5?1010)24?3? p0===2.2710(cm) 1499?10n02该导体为N型。
1.3 二极管电路如图1.3所示。已知直流电源电压为6V,二极管直流管压降为0.7V。 (1) 试求流过二极管的直流电流。
(2)二极管的直流电阻RD和交流电阻rD各为多少?
R + 6V 100?
图1.3
D
解:(1)流过二极管的直流电流也就是图1.3的回路电流,即 ID=
6?0.7A=53mA 1000.7V(2) RD==13.2? ?353?10AUT26?10?3V rD===0.49?
ID53?10?3A1.4二极管电路如题图1.4所示。
(1)设二极管为理想二极管,试问流过负载RL的电流为多少?
(2)设二极管可看作是恒压降模型,并设二极管的导通电压UD(on)?0.7V,试问流过负载RL的电流是多少?
(3)设二极管可看作是折线模型,并设二极管的门限电压UD(on)?0.7V,rD?on??20?,试问流过负载的电流是多少?
(4)将电源电压反接时,流过负载电阻的电流是多少?
(5)增加电源电压E,其他参数不变时,二极管的交流电阻怎样变化?
E
+ 10V D RL 100?
题图1.4
解:(1)I?
E?100mA RL (2)I?E?UD(on)RLE?UD(on)RL?RD?94mA
(3)I??78.3mA
(4) I??IS或I?0
(5)E增加,直流电流ID增加,交流电阻
UT下降。 ID1.6 在图1.6所示各电路中,设二极管均为理想二极管。试判断各二极管是否导通,并求Uo的值。
题图1.6
解:(1)在图(a)中,V2导通,V1截止,U0=5V。 (2)在图(b)中,V1导通,V2截止,U0=0V。 (3)在图(c)中,V1、V2均导通,此时有
U0?E?R46?2??1.984V
R1?(R2//R3)?R44?(1//0.051)?21.7 二极管限幅电路如图1.7(a)、(b)所示。将二极管等效为恒压降模型,且UD(on)=0.7V。若ui=5sinωt(V),试画出u0的波形。
题图1.7
解:(1)在图(a)中:当ui>一2.7V时,V管截止,u0=一2V;当ui≤一2.7V时,V管导通,u0=ui。当ui=5sinωt(V)时,对应的u0波形如图答图1.7(a)所示。
(2)在图(b)中:当ui>1.3V时,V管截止,u0=ui;当ui≤1.3V时,V管导通,u0=2V。
其相应波形如答图1.7 (b)所示。
答图1.7
1.9 在题图1.9 (a)所示电路中,二极管等效为恒压降模型。已知输入电压u1、u2的波形如题图1.9(b)所示,试画出u0的波形。
题图1.9
解:该电路为高电平选择电路,即u1、u2中至少有一个为3V,则u0=3一0.7=2.3V。u1、u2均为0时,uo=一0.7V。其波形答图1.9(c)所示。
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