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17.电光效应?普克尔效应?克尔效应?
电光效应 指介质的光参数—折射率n随外加电场强度E的变化而变化的现象。即n是E的函数。为讨论方便,常采用一个叫做介电抗渗系数η的参数表示。η与n的关系为:
η=ε0/ε=1/n2 (4-91) η会随外加电场强度E的变化而变化,即η是E的函数.二者之间的关系可用下式表示:
η(E)= η(0)+ γE + ξ E2 (4-92)
上式为电光效应数学表达式。
第一项η(0) = 1/n2,是未加外电场时的介电抗渗系数值,n是未加外电场时的折射率。
第二项γE表明η与外加电场E呈线性关系,叫普克尔电光效应,相应的系数γ叫线性电光系数。
第三项ξ E2表明η与外电场E的平方成正比,叫做克尔电光效应,相应的系数ξ叫非线性电光系数。
对普克尔材料,其η(E)的表达式简化为
η(E) =η(0) + γE =η(0) + ⊿η (4-93) 其中 ⊿η = γE 由⊿η可求出相应的⊿n值.
⊿η = 1 /(n +⊿n)2 - 1 / n2
≈ -2⊿n/n3 (4-94) 故
⊿n = - n3⊿η/2 = - n3γE/2 (4-95) 那末
n(E) = n + ⊿n = n(1- n2γE/2) (4-96) n 是未加电场时的晶体折射率 ⊿n是加电场后的晶体折射率变化
可见,n(E)也是外加电场的线性函数。当信号电场作为外加电场而变化时,介质的折射率也随着发生线性变化。 18.体块型相位调制器的结构及工作原理?
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体块型电光相位调制器如图所示。 光轴 (a) 纵向调制 (b)横向调制 图4-41 体相位调制器
L L bV V 在一块电光晶体的横向或纵向通过电极加上调制电压V,便在晶体中产生电场强度E。由普克尔效应知,在此电场的作用下,晶体的折射率发生变化:
n(E) = n + ⊿n = n(1- n2γE/2) 当光波通过此晶体时,经受的位相变化为:
Φ = k0 n(E) L = L ×n(1- n2γE/2) ×2π /λ0 =2πn L/λ式中:
λ
0 为光波波长;
0 - πn3γ
LE /λ0
= Φ(0)- π n3γLE/λ0 (4-97)
Φ(0)= 2π n L/λ0,是未加电场时的相位。
上式表明:光波相位与信号电场强度E成正比,受到了信号电场的调制。
电场强度E和电压V的关系如下: 根据外加电压方式不同其关系式不同
横向相位调制:外加电场的方向垂直于光波的传播方向。E和V的关系:
E = V/d 横向调制器 (4-98) 纵向相位调制:外加电场的方向平行于于光波的传播方向。E和V的
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关系:
E = V/L 纵向调制器 (4-99) 半波电压Vπ: 相位变化π时所需加的电压。
将Vπ代入(4--97):
Φ= Φ(0)- π n3γLE/λ0
可得:
Φ = Φ(0)- πV/Vπ (4-100) 则:
横向调制器的半波电压 Vπ = dλ0 /γ n3L (4-101) 纵向调制器的半波电压 Vπ =λ0 /γn3 (4-102) 19. 何谓相位调制器的半波电压?推导横向相位调制器的半波电压的表达公式?
半波电压Vπ: 它定义为: 相位变化π时所需加的电压。
推导横向相位调制器的半波电压表达公式:Vπ = dλ0 /γ n3L
横向相位调制器的相位变化表达式为:
Φ= Φ(0)- π n3γLV/dλ0
根据定义
π n3γLVπ/dλ
纵向相位调制器的相位变化表达式为:
Φ= Φ(0)- π n3γV/λ0
根据定义
π n3γVπ/λ
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0 =π 0 =π
Vπ = dλ0/n3γL
Vπ=λ0/n3γ
20. 波导型M-Z干涉强度调制器的结构及工作原理?
波导型M-Z干涉仪强度调制器如图所示。
图:波导型M-Z干涉仪强度调制器
调制光 0输入光 V调制电极 波导型马赫-泽德干涉仪 波导型马赫-泽德(M-Z)干涉仪强度调制器应用了两个Y形分支作为分波器与合波器。由输入光纤送来的输入光强度为Ii,在输入Y分支按1:1的比例分成两束光信号, 通过干涉仪的两臂,并在一个臂上进行相位调制,两臂的输出强度各为Ii/2,但两束光信号产生了相位差,其大小为Φ,则调制器输出端的光强为:
IO = Iicos2(Φ/2) (4-103) 传输系数为:
τ= IO / Ii =cos2(Φ/2) (4-104) 设两臂的相位各为Φ1,Φ2,由于臂1中有相位调制,故
Φ1 = Φ1(0)- π V / Vπ (4-105) Φ1(0)是未加调制电压时的相位。 那末, 两臂的相位差为:
Φ = Φ1-Φ2 = Φ(0)-π V / Vπ (4-106) 第一项Φ(0)=Φ1(0)- Φ2是未加电压时两臂的相位差,为常数。 第二项由调制电压引起,因而Φ正比于电压V。 传输系数为:
τ(V)= cos2[Φ(0)/2-π V /2 Vπ] (4-107)
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