第一章半导体器件的基础知识

第一章半导体器件的基础知识

一、填空题

1、自然界中的物质按着导电能力分为 、 、 三类。 2、半导体的导电能力会随着 、 、 、和 的变化而发生变化。

3、半导体材料主要有 和 两种。 4、半导体中的载流子是 和 。

5、主要靠 导电的半导体称为N型半导体，主要靠 导电的半导体称为P型半导体。

6、经过特殊工艺加工，将P型半导体和N型半导体紧密地结合在一起，则在两种半导体的交界处就会出现一个特殊的接触面，称为 结。 7、PN结的特性是 。 8、半导体二极管的符号是 。

9、PN结两端外加的反向电压增加到一定值时，反向电流急剧增大，称为PN结的 。

10、二极管的核心部分是一个 ，具有 特性。

11、半导体二极管又称 。它是由 ，从P区引出的 极和从N区引出的 极以及将他们封装起来的 组成。 12、由于管芯结构不同，二极管又分为 、 、 。 13、二极管的导电性能由加在二极管两端的电压和流过二极管的电流来决定，这两者之间的关系称为二极管的 。用于定量描述这两者关系的曲线称为 。

14、当二极管两端所加的正向电压由零开始增大时，开始时，正向电流很小，几乎为零，二极管呈现很大电阻。通常把这个范围称为 ，相应的电压称为 。

15、硅二极管的死区电压约为 ；锗二极管的死区电压约为 。

16、硅二极管管的导通电压约为 ，锗二极管管的导通电压约为 ，

17、加在二极管的反向电压不断增大，当达到一定数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为 ，相应的电压称为 。 18、半导体二极管的主要参数有 、 。 19、半导体三极管的核心是 。 20、半导体三极管的两个PN结将半导体基片分成三个区域： 、 和 。由这三个区引出三个电极为： 、 和 。分别用字母 、 和 。其中 区相对较薄。

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21、半导体三极管中，通常将发射极与基极之间的PN结称为 ；集电极与基极之间的PN结称为 。 22、由于半导体基片材料不同，三极管可分为 型和 型两大类。 23、半导体三极管常采用 、 和 封装。 24、半导体三极管按功率分有 和 ;按工作频率分有 和 ；按管芯所用半导体材料分有

和 ；按结构工艺分有 和 ；按用途分有 和 。

25、三极管各个电极上电流的分配关系是 。

26、在半导体三极管中，基极电流IB的微小变化控制了集电极电流较大的变化，这就是三极管的 原理。

27、要使三极管起到电流放大作用，必须保证发射结加 电压，集电结加 电压。

28、三极管三种基本连接方式是 、 、 。 29、三极管的三种工作状态是 、 、 。 30、三极管工作在截止区的条件为 ；

三极管工作在放大区的条件为 三极管工作在饱和区的条件为 31、在三极管的管芯内加入一只或两只偏置电阻的片状管称为 。

32、在一个封装内包含有两只三极管的新型器件，称为 。 33、半导体三极管是利用输入电流控制输出电流的半导体器件，称为 。场效晶体管是利用输入电压产生电场效应来控制输出电流的器件，称为 。 34、根据结构和工作原理不同，场效晶体管可分为 和 两大类。

35、结型场效晶体管的电路符号为 、 ，它有三个电极为 、 、 。 36、在本征半导体中掺入微量的杂质，就会使半导体导电能力显著地 。 37、本征半导体中自由电子和空穴的数目是 。 38、穿透电流越大，则三极管性能越 。 39、晶体三极管属于 控制型器件，场效晶体管属于 控制型器件。

40、场效晶体管有三个电极分别为 、 和 。 二、判断题

1、PN结接触面积大，载流量大，适合于大电流场合使用。（ ） 2、在半导体内部，只有电子是载流子。（ ）

3、二极管和三极管是非线性元件。 （ ）

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4、电子技术中的线性与非线性指的电压与电流是否成正比例关系。（ ） 5、理想二极管正向电阻是零，反向电阻无穷大。 （ ） 6、三极管的三个电极可以调换使用。 （ ） 7、硅二极管和锗二极管正向导通分压相等。 （ ） 8、三极管就是两个二极管反接构成。 （ ） 9、二极管的伏安特性曲线和三极管的特性曲线相同。 （ ） 11、硅和锗是制作半导体器件的主要材料。 （ ） 12、二极管具有单向导电性。（ ） 13、三极管无论工作在何种工作状态，电流IE=IB+IC=(1+?)IB ( ) 14、由于三极管的核心是两个互相联系的PN结，因此可以用两个背靠背连接的二极管替换。（ ）

15、晶体二极管击穿后立即烧毁。 （ ） 16、三极管是一种电流控制器件。（ ） 17、二极管两端加上0.7V的电压就能导通。（ ） 18、二极管的正向电阻比反向电阻大。（ ） 19、三极管按结构分为硅型和锗型三极管。（ ）

20、绝缘栅型场效应管是利用改变栅源电压来改变导电沟道宽窄的 。（ ） 21、三极管的发射区和集电区是由同一半导体构成的。 （ ） 22、本征半导体中空穴是多数载流子。（ ）

23、硅材料制成的三极管，当处于放大工作状态时，C极电位总是高于E极电位。（ ）

24、三极管处于放大状态时具有恒流特性。（ ） 25、三极管处于饱和状态时，其集电极电流Ic不受基极电流Ib的控制。（ ） 三、选择题

1．在三极管的输出特性曲线族中，每条曲线与（ ）对应。 A、IE B、UBE C、IB D、UCE 2．在N型半导体中（ ）。

A．只有自由电子 B．只有空穴 C．有空穴也有自由电子 3．掺入五价杂质元素的半导体是（ ）。

Ａ．Ｐ型半导体 Ｂ．Ｎ型半导体 Ｃ．本征半导体

4.如果测得一个放大电路中其三极管的直流电压UCE＜１Ｖ，则它处于（ ）。

Ａ．放大状态 Ｂ．饱和状态 Ｃ．截止状态 5．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（ ）。

A．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 6．稳压二极管稳压时，其工作在( )。

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A．正向导通区 B．反向截止区 C．反向击穿区 7.NPN型三极管处在放大状态时是( )

A.UBE<0, UBC<0 B.UBE>0, UBC>0 C.UBE>0, UBC<0 D.UBE<0, UBC>0

8、有万用表测得PNP晶体管三个电极的电位分别是VC=6V，VB=0.7V，VE=1V则晶体管工作在（ ）状态。

A、 放大 B、截止 C、饱和 D、损坏 9、三级管开作在放大区，要求（ ）

A、发射结正偏，集电结正偏 B、发射结正偏，集电结反偏 C、发射结反偏，集电结正偏 D、发射结反偏，集电结反偏

10、一只NPN型三极管三极电位分别有VC=3.3V，VE=3V，VB=3.7V，则该管工作在（ ）

A．饱和区 B．截止区 C．放大区 D．击穿区

11、三极管参数为PCM=800mW, ICM=100mA, UBR(CEO)=30V,在下列几种情况中，（ ）属于正常工作。

A．UCE=15V，IC=150 mA B．UCE=20V，IC=80 mA C．UCE=35V，IC=100 mA D．UCE=10V，IC=50mA 12、下列三极管各个极的电位，处于放大状态的三极管是（ ）

A VC=0.3V，VE=0V， VB=0.7V B VC=-4V， VE=-7.4V，VB=-6.7V C VC=6V， VE=0V， VB=-3V D VC=2V， VE=2V， VB=2.7V 13、如果三极管工作在截止区，两个PN结状态（ ） A．均为正偏 B．均为反偏

C．发射结正偏，集电结反偏 D．发射结反偏，集电结正偏 14、有万用表测得PNP晶体管三个电极的电位分别是VC=6V，VB=0.7V，VE=1V则晶体管工作在（ ）状态。

A、 放大 B、截止 C、饱和 D、损坏 15、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为( ) 。

A. 83 B. 91 C. 100 D、50 16、工作于放大状态的PNP管，各电极必须满足（ ） A．ＵC > UB > UE B。ＵC< UB < UE C。UB >ＵC > UE D。ＵC > UE > UB

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