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模拟电子技术试题5.1

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  • 2025/7/9 22:26:49

《模拟电子技术》试卷

一.选择正确答案填空(每空1分,共25分)。 1.N型半导体中的多子是______A___。

A.电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 负离子 2.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于____C_____。 A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 D. 晶体缺陷 3.当PN结外加正向电压时,扩散电流___A______漂移电流。 A.大于 B. 小于 C. 等于

4.当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。 A.前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏 5.二极管电路如图所示,判断图中二极管是导通还是截止后,可确定电路的输出电压Vo为___C______。.(设二极管的导通压降为0。)

A.5.6V B. -4.3V C. -5V D. 6V 6.当温度升高时,双极型晶体管的?将 A 。 A.增大 B.减小 C.不变

7.设硅稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和8V,正向压降均为0.7V,可求出图中电路的输出电压Vo为____C_____。

A.4.3V B. 8V C. 5V D. 0.7V 8.场效应管是 控制器件。 A.电流 B.电压

9、测得图示放大电路中晶体管各电极的直流电位如图所示,由此可知该管为 B 。

A.Ge,PNP管 B.Ge,NPN管 C.Si,PNP管 D.Si,

5-1

NPN管

10.在集成运算放大器中,输入级采用差分放大电路的主要目的是 。 A.提高输入电阻 B.稳定放大倍数 C.克服温度漂移

11.直接耦合放大电路能放大 信号,阻容耦合放大电路能放大 信号。 A.直流 B.交流 C.交、直流

12.为稳定输出电流、减小输入电阻,应引入 D 负反馈。

A.电压串联 B.电压并联 C.电流串联 D.电流并联 13.欲将方波电压转换成三角波电压,应选用 B 电路。 A.微分运算 B.积分运算 C.同相比例 14.正弦波振荡器的振荡条件为 A 。

A.AF?1 B.AF??1 C.AF?0 D.AF?1 15.石英晶体发生串联谐振时,呈现 B 。 A.电感性 B.纯阻性 C.电容性

16.图示放大电路中,图(a)中T1、T2分别是 B 接法,图(b)中T1、T2分别是 D 接法。

A.共集-共基 B.共射-共集 C.共射-共基 D.共集-共射

????????

(a) (b)

图(a)放大电路是 C 耦合方式,图(b)放大电路是 A 耦合方式。。

A.阻容 B.变压器 C.直接

5-2

17.在单级共射放大电路中,若输入电压为正弦波形,则vo和vi的相位____B_____。

A.同相 B. 反相 C. 相差90度 D. 不确定 18.在放大电路中,为了稳定静态工作点,可以引入____B_____。

A. 交流负反馈和直流负反馈 B. 直流负反馈 C. 交流负反馈 D. 交流正反馈 19.如果希望减小放大电路从信号源获取的电流 ,同时希望增加该电路的带负载能力,则应引入________B_。

A. 电流串联负反馈 B. 电压串联负反馈 C. 电流并联负反馈 D. 电压并联负反馈 20.在甲类放大电路中,放大管的导通角等于______B___。在乙类放大电路中,放大管的导通角等于____A_____。 A. 180o B. 360o C. 270o

二.(15分)图示电路,T1和T2管的β均为50,rbe约为5KΩ。试问:若输入电压vi1=30mv, vi2=20mv; 则电路的共模输入电压Uic=?;差模输入电压Uid= ?输出电压vo=vo1-vo2=?。

三.(10分)图示电路,运算放大器为理想的。其中ui1=0.1V, ui2=0.3V, ui3=0.6V求Uo。

5-3

ui1ui2A1ui3A2uo四.(10分)求出图示电路的阈值电压,并画出电压传输特性曲线。

五.(10分)试判断图示电路是否可能产生正弦波振荡,如果能振荡,写出振荡频率f0的表达式。图(a)中Rf=20K?,R1=9.5K?。

(a)

(b)

L1L2

LC1C2(c) (d)

5-4

六.(15分)电路如所示,已知T1和T2的饱和管压降│UCES│=2V,直流功耗可忽略不计,R6=49K?。回答下列问题: (1)R3、R4和T3的作用是什么?

(2)若输入电压幅值足够大,负载上可能获得的最大输出功率Pom和电路的转换效率η各为多少?

(3)电路中引入了什么组态的负反馈?

(4)若输入正弦电压的最大值为0.2V。这时的输出功率为多少?

七.(15分)试判断图示(a),(b)两电路的级间交流反馈的组态,若为负反馈,求出在深度反馈条件下的电压放大倍数。

图(a) 图(b)

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《模拟电子技术》试卷 一.选择正确答案填空(每空1分,共25分)。 1.N型半导体中的多子是______A___。 A.电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 负离子 2.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于____C_____。 A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 D. 晶体缺陷 3.当PN结外加正向电压时,扩散电流___A______漂移电流。 A.大于 B. 小于 C. 等于 4.当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。 A.前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏 5.二极管电路

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