模拟电子技术基础简明教程[第三版]杨素行课后答案解析

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20k?20k?200k?10V(e)(c)10VIB?0IC?0UCE?VCC?10V三极管工作在截止区，见图P1-14(g)中E点（与D点重合）。IB?0.0465mAIC?2.325mAUCE?VCC?10V三极管工作在放大区，见图P1-14(g)中F点。CABF图P1-14(g)D、E 学习指导参考资料

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习题1-15分别测得两个放大电路中三极管的各极电位如图P1-15所示。试识别它们的管脚，分别标上e、b、c，并判断这两个三极管是NPN型还是PNP型，硅管还是锗管。13(+3V)2(+9V)(+3.2V)(a)13(-11V)2(-6V)(-6.7V)(a)解：本题的前提是两个三极管均工作在放大区。(a)1——发射极e，3——基级b，2——集电极c，三极管类型是NPN锗管。(b)2——发射极e，3——基级b，1——集电极c，三极管类型是PNP硅管。习题1-16已知一个N沟道增强型MOS场效应管的输出特性曲线如图P1-16所示。试作出uDS=15V时的转移特性曲线，并由特性曲线求出该场效应管的开启电压UGS(th)和IDO值，以及当uDS=15V，uGS=4V时的跨导gm。uDS=15V由图可得，开启电压UGS(th)=2V，IDO=2.5mA，gm??iD4?1.2??2.8mS?uGS4.5?3.5 学习指导参考资料

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习题1-17试根据图P1-17所示的转移特性曲线，分别判断各相应的场效应管的类型（结型或绝缘栅型，P型沟道或N型沟道，增强型或耗尽型）。如为耗尽型，在特性曲线上标注出其夹断电压UGS(off)和饱和漏极电流IDSS；如为增强型，标出其开启电压UGS(th)。(a)绝缘栅型N沟道增强型；(b)结型P沟道耗尽型；(c)绝缘栅型N沟道耗尽型；(d)绝缘栅型P沟道增强型。习题1-18已知一个N型沟道增强型MOS场效应管的开启电压UGS(th)= +3V，IDO=4mA，请示意画出其转移特性曲线。习题1-18图习题1-19图习题1-19已知一个P型沟道耗尽型MOS场效应管的饱和漏极电流IDSS= -2.5mA，夹断电压UGS(off)=4V，请示意画出其转移特性曲线。

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习题2-1试判断图P2-1中各电路有无放大作用，简单说明理由。答：(a)无放大作用（发射结反偏）；(b)不能正常放大（发射结无直流偏置）；(c)无放大作用（集电结无直流偏置）；(d)无放大作用（发射结无直流偏置）；(e)有放大作用（是射极跟随器）；(f)无放大作用（输出交流接地）；(g)无放大作用（输入交流接地）；(h)不能正常放大（栅极无直流偏置）；(i)无放大作用（电源极性接反）；习题2-2试画出图P2-2中各电路的直流通路和交流通路。设各电路中的电容均足够大，变压器为理想变压器。答：(a)Rb+VCCRc+Re1Re2(a)直流通路+Re1Ui-RbUoRc-(a)交流通路 学习指导参考资料