锅炉-RT检测工艺守则

6.1同一条对接接头的余高在允许范围内应均匀，以保证底片黑度处于规定范围内。 6.2距对接接头中心个４０ｍｍ范围内的焊疤，飞溅，成型粗糙及表面缺陷等应修磨，以不掩盖或干扰缺陷影像的显示。

6.3对接接头的表面质量应经检验人员检验合格，无损检测人员认可。

6.4射线检测应在焊后进行。对有延迟裂纹倾向的材料，至少应在焊后２４小时后进行射线检测。 7. 检测技术 7.1几何条件

7.1.1所选用的射线源至被检部位工件上表面的距离应满足下列要求： ——A级射线检测技术： f ≥ 7.5 d.b2/3 ——A级射线检测技术： f ≥ 10 d.b2/3 ——A级射线检测技术： f ≥ 15 d.b2/3

式中：f — 射线源至被检部位工件上表面距离或称透照距离 mm。

d — 有效焦点尺寸（方焦点取边长，长焦点取长短边之和的1/2） b — 被检部位工件表面至胶片的距离 mm。 图3是AB级射线检测技术确定f的諾模图。

7.1.2采用源在内中心周向曝光时，只要得到的底片和像质计灵敏度符合要求，f值可以减小，但减小值不应超过规定值的50%。

7.1.3采用源在内其他单壁透照方式时，只要得到的底片黑度和像质计灵敏度符合要求，f值可以减小，但减小值不应超过规定值的20%。

7.1.4分段曝光时，每次曝光所检测的焊缝长度称一次透照长度。一次透照长度除满足几何不清晰度的要求外还应满足透照厚度比值K的要求。

对于AB级： 纵缝 K ≤ 1.03， 环缝 K ≤ 1.1 ，

但对100mm ＜ D0 ≤ 400mm 的环向对接接头，允许K ≤ 1.2 。 7.2透照技术

只要条件允许，应当采用单壁透照技术，当无法进行单壁透照时，方可采用双壁透照技术。 7.2.1单壁透照

7.2.1.1单壁透照应满足下列要求：

a）能量的选用应符合本标准第5.1条要求。

b）胶片、像质计和标记布置应符合本标准第5.5 条的要求。 c）搭接标记的放置应符合本标准第5.5.3 b）条的要求。 d）像质计的选用，数量和放置应满足本标准第5.3条的要求。

7.2.1.2纵向对接接头透照

纵向对接接头单壁透照应满足L＇3 ≤ f /2 L＇3 —为实际采用的一次透照长度，L＇3 ≤L 3 ， f — 射线源至被检部位工件上表面距离或称透照距离 mm。 当胶片长 = 300mm 时，一次透照长度L＇3选用250～260mm为宜。 7.2.1.3环向对接接头透照

一次透照长度：L3 = πD0 / N或按JB/T4730.2附录D中的图D.3查得。

式中： D0 —工件外径， mm； N — 透照片数 。 7.2.1.4周向全景曝光

源置于圆筒形攻坚的中心线上，一次曝光检测整条环向对接接头，焦距F为外半径加2mm。若胶片长300mm，L＇3选用260mm为宜。 7.2.1.5环向对接接头采用F ＜ R的偏心内透照

当工件直径较大且壁厚较厚可采用此法，且必须使用周向X射线机。 7.2.1.6环向对接接头采用F ＞ R的偏心内透照

当工件直径较小或为增大一次透照长度L＇3，可采用此法，但必须使用周向X射线机。

7.2.2双壁单影环向对接接头透照

7.2.2.1能量的选择应符合本标准第5.1条的要求。

7.2.2.2胶片、像质计和标记布置，搭接标记位置和像质计选用应符合本标准第7.2.1条的要求。

7.2.2.3在X射线透照且焦距 F=150+ D0（mm）的情况下，

当 100mm ＜ D0 ≤ 400mm 时，环向对接接头的K值可选用 ≤1.2 ； 当 D0 ＞ 400mm 时， K值可选用 ≤1.1 。

7.2.3双壁双投影透照（小径管D0 ≤ 100mm 对接接头透照采用此法） 7.2.3.1能量的选择应符合本标准第5.1条的要求。

7.2.3.2专用像质计的选用按本标准第5.3.1条，第5.3.2条的规定。

7.2.3.3工件的检测部位应有焊缝编号，像质计和底片编号，底片上还应有产品编号和透照日期。

7.2.3.4小径管环向对接接头的透照布置

小径管采用双壁双影透照布置，当同时满足下列两条件时，应采用倾斜透照方式椭圆成像； a） T (壁厚) ≤ 8 mm ； b） g （焊缝宽度）≤ D0 / 4 。 椭圆成像时，应控制影像开口宽度（上下焊缝投影最大间距）在1倍焊缝宽度左右。 7.2.3.5小径管环向对接接头的透照次数

小径管环向对接接头100%检测的透照次数：采用倾斜透照椭圆成像时： 当T / D0 ≤ 0.12时相隔90°透照2次，

当T / D0 ＞ 0.12时相隔120°或60°透照3次， 垂直透照重叠成像时，一般相隔120°或60°透照3次。 7.2.4椭圆形封头对接接头的透照

椭圆形封头对接接头属于纵向对接接头，K值应≤1.03。常规的透照方式可分为封头成型前和成型后两种。 7.2.4.1拼焊后成型前的平板透照

按本标准第7.2.1.2条进行，成型后的圆弧过度区的焊接接头处再做内透照。 7.2.4.2封头压制成型齐边后的透照

椭圆形封头压制成型后，拼缝均存三弧区和直边区，外透照时不能满足K值要求，故只能采用内透照。 7.3曝光条件 7.3.1曝光量

X射线照相，当焦距为700mm时，曝光量的推荐值为不小于15A.min，当焦距改变时，可按曝光因子公式对曝光量的推荐值进行换算。当薄板对接接头或截面厚度变化大时可适当减小。 7.3.2曝光曲线

a）对每台在用射线设备均应作出曝光曲线，依据曝光曲线确定曝光参数。

b）制作曝光曲线所采用的胶片，增感屏，焦距射线能量等条件以及底片应达到的灵敏度，黑度等参数均应符合标准的规定，且与实际采用的条件相符。

c）对使用中的曝光曲线，每年至少应校验一次。射线设备更换重要部件或较大修理后，应及时对曝光曲线进行校验或重新制作。 8. 胶片处理

8.1胶片采用手工槽浸方式进行处理，其程序如下： 显影 停影 定影 水洗 洗涤剂处理 自然干燥 4～8分钟 2～3分钟 10～15分钟 15～20分钟 30秒 8.2显定影液应按规定的方法配置，并在配置24小时后使用。 8.3胶片的处理具体操作按“暗室操作规程”进行。 9. 底片评定 9.1底片的质量