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关于残余应力的基本概念3

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1、基本原理

X射线应力测定的基本原理由俄国学者Аксенов 于1929年提出,它的基本思路是:

–一定应力状态引起材料的晶格应变和宏观应变是一致的。

–晶格应变可以通过X射线衍射技术测出;宏观应变可根据弹性力学求得。

–从X射线法测得的晶格应变可推知宏观应力。

①宏观应变和晶格应变的概念定义晶格应变的示意图单轴应力状态下的宏观应变是:εx=(X-X。)/X。=σx/E=εψ=90°(1)εz=(Z-Z。)/Z。=(-ν/E) σx=εψ=0°(2)εψ={[(1+ν)/E]sin2Ψ-(ν/E)} σx (3)①宏观应变和晶格应变的概念定义晶格应变的示意图材料的微观应变:受力后多晶体中各个晶粒的某一晶面间距的变化与各个晶粒的不同取向有关。εJψ=0°=(Dψ=0°-D。)/D。(4) (5) εJ=( D-ψψD。)/D。①宏观应变和晶格应变的概念定义晶格应变的示意图Аксенов认为,εJψ=0°=εzεJψ=εψ

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1、基本原理X射线应力测定的基本原理由俄国学者Аксенов 于1929年提出,它的基本思路是:–一定应力状态引起材料的晶格应变和宏观应变是一致的。–晶格应变可以通过X射线衍射技术测出;宏观应变可根据弹性力学求得。–从X射线法测得的晶格应变可推知宏观应力。①宏观应变和晶格应变的概念定义晶格应变的示意图单轴应力状态下的宏观应变是:εx=(X-X。)/X。=σx/E=εψ=90°(1)εz=(Z-Z。)/Z。=(-ν/E) σx=εψ=0°(2)εψ={[(1+ν)/E]sin2Ψ-(ν/E)} σx (3)①宏观应变和晶格应变的概念定义晶格应变的示意图材料的微观应变:受力后多晶体中各个晶粒的某

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