当前位置:首页 > 计算机组成原理习题 第三章存储系统
A.主存的存取时间 B.块的大小 C.cache的组织方式 D.cache的容量
47. 虚拟段页式存储管理方案的特点为______。
A. 空间浪费大、存储共享不易、存储保护容易、不能动态连接 B. 空间浪费小、存储共享容易、存储保护不易、不能动态连接 C. 空间浪费大、存储共享不易、存储保护容易、能动态连接 D. 空间浪费大、存储共享容易、存储保护容易、能动态连接
48. 在cache的地址映射中,若主存中的任意一块均可映射到cache内的任意一块的位置上,则这种方法称为_____。
A.全相联映射 B.直接映射 C.组相联映射 D.混合映射
三、简答题:
1. DRAM存储器采用何种方式刷新?有哪几种常用的刷新方式?
2. 现有一64K×2位的存储器芯片,欲设计具有同样存储容量的芯片,应如何安排地址线和数据线引脚的数目,使两者之和最小。并说明有几种解答。
3. 已知某8位机的主存采用半导体存储器,地址码为18位,采用4K×4位的SRAM芯片组成该机所允许的最大主存空间,并选用模块条形式,问:若每个模块条为32K×8位,共需几个模块条?每个模块条内有多少片RAM芯片?主存共需多少RAM芯片?CPU需使用几根地址线来选择各模块?使用何种译码器?
4. 请说明SRAM的组成结构,与SRAM相比,DRAM在电路组成上有什么不同之处? 5. 什么是存储保护?通常采用什么方法? 6. 试述ROM和RAM的区别?
7. 试述两种地址译码方式的特点与区别?
8. 试述存储器芯片地址选择方法的分类及特点?
9. 何谓SRAM?何谓DRAM?它们在使用上有何特点?两者有何区别?各自的使用场合是什么?
10. 只读存储器从功能和制造工艺可发为哪几种?各种只读存储器的特点是什么? 11. 动态存储器为什么要进行刷新?刷新过程和CPU正常读/写操作有何差别? 12. 微机系统中存储器与CPU连接时应考虑哪几方面的问题?
四、计算题:
1. 有一个1024K×32位的存储器,由128K×8位的DRAM构成。问:总共需要多少DRAM芯片。
2. 要求用128K×16位的SRAM芯片设计512K×16位的存储器,SRAM芯片有两个控制端:当 CS 有效时该片选中。当W/R=1时执行读操作,当W/R=0时执行写操作。用64K×16位的EPROM芯片组成128K×16位的只读存储器。试问:。 <1> 数据寄存器多少位? <2> 地址寄存器多少位? <3> 共需多少片EPROM? <4> 画出此存储器组成框图。
3. 用8K×8位的ROM芯片和8K×8位的RAM芯片组成一个32K×8位的存储器,其中RAM地址占24K(地址为2000H~7FFFH),ROM地址占8K(地址为0000H~1FFFH)。RAM芯片有两个输入端:当CS有效时,该片选中,当W/R=1时,执行读操作;当W/R=0时,执行写操作。ROM芯片只有一个控制输入端——片选CS。要求画出此存储器组成结构图。(包括与CPU的连接)。
4. 设有一个具有20位地址和32位字长的存储器,问:
(1)该存储器能存储多少个字节的信息?
(2)如果存储器由512k×8位的SRAM 芯片组成,需多少片? (3)需多少位地址作芯片选择?
5. 设有一个具有20位地址和32位字长的存储器,问:该存储器能存储多少个字节的信息?
(1) 如果用512k×8位的SRAM组成,需多少片? (2) 需要多少位地址作芯片选择?
6. 有一个16K×16的存储器,由1K×4位的DRAM芯片构成问: (1)总共需要多少DRAM芯片? (2)画出存储体的组成框图。
7. 用16k×8位的SRAM芯片构成64K×16位的存储器,要求画出该存储器的组成逻辑框图。
8. 存储器容量为32字,字长64位,模块数m = 8,用交叉方式进行组织。存储周期T = 200ns, 数据总线宽度为64位,总线传输周期τ = 50ns。问该存储器的带宽是多少?
9. 用定量分析方法证明模块交叉存储器带宽大于顺序存储器带宽。 解:假设(1)存储器模块字长等于数据总线宽度
(2)模块存取一个字的存储周期等于T. (3)总线传送周期为г
(4)交叉存储器的交叉模块数为m.
交叉存储器为了实现流水线方式存储,即每经过τ时间延迟后启动下一模快,应满足 T = mτ, (1)
交叉存储器要求其模快数≥m,以保证启动某模快后经过mτ时间后再次启动该模快时,它的上次存取操作已经完成。这样连续读取m个字所需要时间为
t1 = T + (m – 1)τ= mτ+ mτ–τ= (2m – 1) τ (2) 故存储器带宽为W1 = 1/t1 = 1/(2m-1)τ (3) 而顺序方式存储器连续读取m个字所需时间为
2
t2 = mT = m×τ (4)
2
存储器带宽为W2 = 1/t2 = 1/m×τ (5) 比较(3)和(5)式可知,交叉存储器带宽W1 > 顺序存储器带宽W2
10. 图B6.1是某SRAM的写入时序,其中R / W 是读 、写命令控制线,当R / W 线为低电平时,存贮器按给定地址把数据线上的数据写入存贮器。请指出图中时序的错误,并画出正确的写入时序。
图B6.1
11. 设有一个具有20位地址和32位字长的存储器,问:
(1)该存储器能存储多少个字节的信息?
(2)如果存储器由512k×8位的SRAM 芯片组成,需多少片?
(3)需多少位地址作芯片选择?
12. 有一个16K×16的存储器,由1K×4位的DRAM芯片构成问:
(1) 总共需要多少DRAM芯片? (2) 画出存储体的组成框图。
1. 某微机有16条地址线,现用SRAM 2114(1K×4)存储器芯片组成存储系统,?问:(1) 采用线选法译码时,系统的存储器容量最大为多少?此时需要多少个2114 存储器芯片?若采用全译码译码,系统最大存储量又为多少?需要多少2114芯片?
2. 设某微机系统有一个14位地址和8位数据的存储器, 问:(1) 此存储器能存储多少字节的信息?
(2) 若存储器由4K×4位RAM芯片组成,需要多少芯片? (3) 若分别采用线选法和全译码法各需要多少根地地线作芯片选择?
3. 某微机有16条地址线,现用DRAM 2118(16K×1)存储器芯片组成存储系统,。
问:(1) 采用线选法译码时,系统的存储器容量最大为多少?此时需要多少个2118 存储器芯片?
(2) 若采用全译码法译码,系统最大存储量又为多少?需要多少
2118芯片?
4. 某微机系统,ROM为2KB,其最后一个单元的地址为1FFFH;RAM为3KB。已知其地址是连续的,且ROM在前,RAM在后。求该存储器的首地址和末地址。
5. 某微机系统中,用两片EPROM27128(16K×8)和2片SRAM6264(8K×8)组成存储器系统。已知EPROM在前,SRAM在后,起始地址为0000H。试写出每一存储芯片的地址空间范围。
6. 某微机系统中,用两片EPROM27128(16K×8)和2片SRAM6264(8K×8)以及一个3:8译码器(74LS138)组成存储器系统。已知EPROM在前,SRAM在后,起始地址为0000H。试画出系统连接图,并写出每一存储芯片的地址空间范围。
7. 某微机系统中,用两片EPROM2716(2K×8)和2片SRAM2114(1K×4)组成存储器系统。已知EPROM在前,SRAM在后,起始地址为0800H。试写出每一存储芯片的地址空间范围。
8. 分别用1K×1和4K×8的RAM芯片组成16K×8位的存储器,各需要多少芯片?在地址线中用多少位参与片内寻址?多少位组合成片选信号(设地址总线为16位)。
9. 用8K×8位的EPROM 2764、8K×8位的RAM 6264和译码器74S138(3:8译码器)构成一个16K字的存储器子系统,试画出存储器系统与CPU的连接图,写出各组芯片的地址分配。
10. 用256×4RAM芯片和74LS139(2:4译码器)构成一个1K的存储器子系统,试画出存储器系统与CPU的连接图。
11. 有两种静态RAM芯片:1K×1位16片,4K×1位4片,试利用译码器74LSI39构成一个4K字的存储器子系统,并画出存储器系统与CPU的连接图
12. (10%)某微机系统有两种静态RAM芯片:1K×1位16片,4K×1位4片,试利用译码器构成一个存储器子系统,并画出存储器系统与CPU的连接图
13. 某存储器系统中,已配有一个地址为0000H-1FFFH的ROM区域,现再用一个RAM芯片(8K×4)形成一个16K×8位的RAM区域,起地址
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