电子蓝宝石晶体切割项目环境影响报告表 - 图文

1、废水排放 生产、生活废水排放执行《污水综合排放标准》（GB8978-1996）三级级标准，其最高允许浓度限值见表19。 表19 《污水综合排放标准》标准限值 序号 1 2 3 项目 PH SS CODcr 70 100 标准限值 一级 三级 400 500 6～9 序号 4 5 6 项目 LAS 石油类 NH3-N 标准限值 一级 5.0 5.0 15 三级 20 20 / 污 染 2、厂界噪声 物 放 标 准 厂界噪声执行《工业企业厂界环境噪声排放标准》（GB12348-2008）3排 类，具体见表20： 表20 厂界环境噪声排放标准值 单位：dB(A) 类 别 厂界噪声 昼 间 65 夜 间 55 3、建筑施工厂界噪声 执行《建筑施工厂界噪声限值》（GB12523-90）。 总 量 控 制 指 标 - 17 - 建设项目工程分析

工艺流程简述（图示）： 一、工艺制造流程说明： 蓝宝石主要成分：三氧化二铝，其硬度很高，为莫氏9级，仅次于金刚石。在加工过程中切割、研磨、抛光的难度相当大，效率非常低下，且因LED用衬底片要求表面光洁度在纳米级以上，抛光难度尤其困难。本项目采用最先进的线切割技术配合专有技术工艺来保证兰宝石的切割质量。以下对各工序的加工予以说明： 定向：在切片机上准确定位蓝宝石晶棒的位置，以便于精准切片加工。 切片：采用金刚石钢线和水溶性冷却液冷却，配合专有设备和先进的加工工艺将蓝宝石晶棒切成薄薄的晶片。 研磨：采用专有技术保证研盘平坦度的同时用高于蓝宝石硬度的研磨液（金刚石粉+水）对晶片进行研磨，通过多次、分级的研磨去除切片时造成的晶片切割损伤层及改善晶片的平坦度。 倒角：将晶片边缘修整成圆弧状,改善薄片边缘的机械强度,避免应力集中造成缺陷 涂蜡：取抛光蜡均匀地分布于平整的抛光盘上，以便抛光时宝石晶片受力均匀，将宝石分别置于抛光蜡上轻柔之晶片与蜡间无气泡，然后取一质量均匀的重物置于抛光盘上，待抛光盘冷却后，取出晶片用棉球沾取酒精将晶片周围多余的抛光蜡擦出干净。 抛光：采用初抛、细抛两次抛光和机械化学抛光技术，采用硅溶胶研磨料配置成抛光液改善晶片粗糙度,使其表面达到外延片磊晶级的精度。抛光要达到表面粗糙度小于0.3MM的技术是本项目最难得难点，对环境要求万级的净化间；首先精研磨要对抛光打好基础，在万级净化间按工艺要求两次抛光进行化学机械抛光，采用上述技术措施，使产品表面粗糙度达到小于0.3MM的半导体级要求。 清洗、包装：清除晶片表面的污染物（如：微尘颗粒，金属，有机玷污物等），达到开盒即用的水准，就要是环境、清洗、包装同步达到半导体及的要求，才能保证客户的需求，为此，采取如下技术要求：环境净化要达到百级要求，在百级净化环境中按半导体级要求进行多槽自动清洗技术；在百级净化环境中，进行检

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验，采用专用高洁净封装和进行高洁净封装，达到客户提出的半导体级的开合即用的标准。 二、工艺流程图及产污环节 蓝宝石晶体切割加工工艺流程和污染物产生环节见图1： ＊N1 蓝宝石晶棒 检验 粘接 晶棒切割 清洗 检分 ＊N2 ⊕S1 ＊N3 ≈W1 晶片粗研磨 倒角 清洗检分 晶片中、精研磨 ≈W2 ≈W3 清洗检分 抛光 清洗 酸腐清洗 检验 ≈W4 ≈W5 入库 图1 蓝宝石单晶衬底片加工工艺流程和污染产生环节图 污染物排放图例说明见表21： 表21 污染物排放图例说明表 序号 1 2 3 污染要素 废水污染源 噪声污染源 固体废物 编号 W1-3 W4-5 S1 SS PH、COD 研磨砂与蓝宝石尾料 主要污染物 备 注 晶体粉屑、研磨砂 含有机物、酸 / 主要成分AL2O3 N1～5 机械噪声

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主要污染工序： 1、主要污染工序 根据污染物产生环节，主要污染工序及污染因子如下： (1)晶棒切割工序：产生蓝宝石晶棒尾料，机械噪声； (2)清洗工序：产生清洗废水，主要污染为SS、PH、COD； 清洗剂的性质：清洗剂的去污能力，对湿式清洗的清洗效果有决定性的影响，根据蓝宝石晶片清洗目的和要求，选择适当的清洗剂是湿式清洗的首要步骤。蓝宝石晶片清洗中常用的化学试剂和洗液主要有无机酸、氧化剂、络合剂、双氧水溶剂、有机溶剂、合成洗涤剂、电子清洗剂等七大类，它们在清洗中的主要作用见表22所示。 表22 常用清洗剂的分类和作用 类别 无机酸 氧化剂 络合剂 双氧水 洗液 有机溶剂 常用清洗剂 硫酸、硝酸、磷酸等 硝酸、浓硫酸、重铬酸钾、双氧水等 盐酸、氢氟酸、氢化铵、氨水等 1号液APM（NH4OH、H2O2、H2O），2号液HPM（HCL、H2O2、H2O），3号液SPM（H2SO4、H2O2、H2O） 三氯乙烷、乙醇、丙酮等 主要作用 腐蚀作用 氧化还原作用 络合作用去除金属杂质 强氧化性，可去无机及有机沾污 相似相容原理、去处有机沾污 表面活性剂乳化作用 分别可去除各类沾污 合成洗涤剂 洗涤剂6053等 电子 DZ-1、DZ-2、DZ-3、DZ-4、DZ-5清洗剂 电子清洗剂 (3)晶片粗、中、精研磨工序：废弃金刚石微粉(含少量碳化硼)，机械噪声； (4)抛光工序：抛光液是由高品质的金刚石颗粒与分散液组成，抛光工序过程中产生废抛光浆料。主要含硅溶胶研磨料、螯合剂、活性剂等。两种蓝宝石抛光液的性能比较见表23。 表23 两种蓝宝石CMP抛光液的性能比较 性能 pH值 温度 活性剂 螫合剂 磨料浓度 去除速率 粗糙度 平整度

美国抛光液 9～1O 室温 / EDTA 2O～25% > 1μm/h 0.1～0.3 nm <0.5μm 河北工业大学抛光液 10～12 30℃ FA/O 13个螫合环 4O% > 5μm/h 0.1～0.3 nm <0.5μm - 20 -