《模拟电子技术》胡宴如主编 耿苏燕版 (第四版)习题解答 第2章

因IB﹥IBS，所以晶体管饱和，则 IB=0.045mA IC=12V/3 KΩ=4mA UCE≈0

2.6图P2.6所示电路中，晶体管为硅管，β=60，输入波形。

ui为方波电压，试画出输出电压uo

解：UI=0，管子截止，UO=5V

UI=3.6V，IB=（3.6-0.7）V/56 KΩ=0.0518mA

IBS==0.0163mA﹤IB，所以晶体管饱和，UO≈0

输出电压UO波形与UI波形相反幅度近似为5V,如图解P2.6所示。

编辑版word

图解P2.6

2.7图P2.7所示三极管放大电路中，电容对交流信号的容抗近似为零，ui=10sinωt(mV)，三极管参数为β=80，UBE（ON）=0.7V，rbb=200Ω，试分析：（1）计算静态工作点参数IBQ、ICQ、UCEQ；（2）画出交流通路和小信号等效电路；（3）求uBE、iB、iC、uCE。

图P2.7

解：（1）计算电路的静态工作点

IBQ=

VCC?UBE(on)RB?12V?0.7V=0.024mA=24μA

470k?ICQ=βIBQ=80×0.024mA=1.92mA

编辑版word

UCEQ=VCC－ICQRC=12V－1.92mA×3.9kΩ=4.51V

（2）画出放大电路的交流通路和小信号等效电路如图解P2.7（a）、（b）所示

（3）求uBE、iB、iB、uCE

由于IEQ≈1.92mA，故可求得

图解P2.7 26mV26?200??(1?80)??1.3k? IEQ(mA)1.92 rbe?rbb'?(1??)由解图P2.7（b）可得

ube?ui?10sin?t(mV) ube10sin?tib???A?7.7sin?t(?A)rbe1.3ic=βib=80×7.7sinωt(μA) ≈0.616sinωt(mA) uce=－icRc=－3.9×0.616sinωt(v) ≈－2.4sinωt(V) 合成电压和电流为

uBE=UBEQ+ube=（0.7+0.01sinωt）V

编辑版word

iB=IBQ+ib=(24+7.7sinωt) μA iC=ICQ+ic=(1.92+0.616inωt)mA uCE=UCEQ+uce=(4.51－2.4sinωt)V

2.8 场效应管的转移特性曲线如图P2.8所示，试指出各场效应管的类型并画出电路符号；对于耗尽型管求出UGS（off）、IDSS；对于增强型管求出UGS（th）。

图P2.8

图解P2.8

解：（a）由于uGS>0，故为增强型NMOS管，电路符号如图解P2.8（a）所示，由图P2.8（a）可得UGS(th)=1V。

（b）由于uGS≤0，故为N沟道结型场效应管，其电路符号如图解P2.8（b）所示。由图P2.8（b）可得UGS（off）=－5V，IDSS=5mA。

（c）由于uGS可为正、负、零，且UGS（off）=2V，故为耗尽型PMOS管，电路符号如图解P2.8（c）所示。由图P2.8（c）可得UGS（off）=2V,IDSS=2mA.

2.9场效应管放大电路如图P2.9所示，已知场效应管的UGS（TH）=2V，IDO=1mA，输入

编辑版word