2章 半导体三极管及放大电路基础

第二章 半导体三极管及放大电路基础

2.1 有两个BJT，其中一个管子的??150，ICEO?200?A，另一个管子的??50，

ICEO?10?A，其他参数一样，你选择哪个管子？为什么？

解：因为ICEO大，放大电路温漂严重，BJT寿命短，故选择ICEO小的BJT，即??50，

ICEO?10?A。

2.2 已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图题2.2所示。分别求另一电极的电流，标出其实际方向，并在圆圈中画出管子。

图题2.2

解：答案如解图题2.2所示。

解图题2.2

2.3 测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图题2.3所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。

第二章题解－1

图题2.3

解：晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如解表2.3所示。

解表2.3

管号 上 中 下 管型 材料 T1 e b c PNP Si T2 c b e NPN Si T3 e b c NPN Si T4 b e c PNP Ge T5 c e b PNP Ge T6 b e c NPN Ge 2.4 试分析图题2.4所示各电路对正弦交流信号有无放大作用，并简述理由。（设各电容的容抗可忽略）

图题2.4

第二章题解－2

解：（a）Vb?Ve（Vcc反接），且Vbe??Vcc；Vi被Vcc短接，故无交流放大作用。 （b）Rb，Rc偏置正确，电容隔直，故交流放大正确。 （c）Cb1隔断直流偏置Rb，故无交流放大作用。 （d）Vcc反接，Vc?Ve，故无交流放大作用。

2.5 电路如图题2.5所示，晶体管导通时UBE＝0.7V，β=50。试分析VBB（或uI）为0V、1V、1.5V三种情况下T的工作状态及输出电压uO的值。 解：（1）当VBB＝0时，T截止，uO＝12V。 （2）当VBB＝1V时，因为 IBQ?

VBB?UBEQRb?60μA

ICQ?? IBQ?3mAuO?VCC?ICQRC?9V所以T处于放大状态。 （3）当VBB＝3V时，因为 IBQ?

VBB?UBEQRb?160μA 图题2.5

ICQ?? IBQ?8mAuO?VCC?ICQRC＜UBE所以T处于饱和状态。

2.6 电路如图题2.6所示，试问β大于多少时晶体管饱和？

解：取UCES＝UBE，若管子饱和，则

VCC?UBEVCC?UBE?RRC bRb?? RC??所以，??Rb?100时，管子饱和。 RC 图题2.6

2.7 图题2.7画出了某固定偏流放大电路中BJT的输出特性及交、直流负载线，试求：（1）电源电压VCC，静态电流IB、IC和管压降VCE的值；（2）电阻Rb、Rc的值；（3）输出电压的最大不失真幅度；（4）要使该电路能不失真地放大，基极正弦电流最大幅度是多少？

第二章题解－3

图题2.7 图解2.7

解：（1）由图题2.7可知，因VCC?ICRc?VCE，当IC?0时，VCC?VCE直流负载线与横坐标轴的交点即VCC值的大小，故VCC?6V。由Q点的位置可知，IB?20?A，

IC?1mA，VCE?3V。

（2）由KVL定律：IBRb?VBE?VCC Rb?VCC?VBE6?0.7??265k? ?6IB20?10VCC?VCE6?3??3k? ?3IC1?10根据KVL定律：VCC?ICRc?VCE Rc?（3）由交流负载曲线可知：

以Q为中心，1.5~4.5V为交流输出峰值，故最大不失真幅度为4.5-3=1.5。 （4）由图题2.7可知，?IBmax?20?A为最大幅值。

2.8 在图题2.8（1）所示电路中，由于电路参数不同，在信号源电压为正弦波时，测得输出波形如图P2.8（2）所示，试说明电路分别产生了什么失真，如何消除。

图题2.8（1）

第二章题解－4