《功能材料》教学大纲-(修改稿)

本章基本概念：

形状记忆效应、奥氏体开始和完成温度、马氏体开始和完成温度、形状记忆效应分类、超弹性和伪弹性

本章思考题:

1. 简述形状记忆效应及其机理。

2. 举例说明各种形状记忆材料的应用。

第四章 梯度功能材料（教学时数2）

教学目的：在天然梯度材料的基础上，引出梯度功能材料的性能、组成与结构的梯度变化特点，描述梯度功能材料的发展背景、制备技术和应用状况。让学生了解梯度功能材料设计、评价和应用的特点，以及各种关键制备技术的应用范围。

教学重点：梯度功能材料的性能、组成和结构梯度变化的特征和相关的制备技术

教学难点: 如何根据微观组织结构的各种表征结果和性能测试数据分析实际制备材料的梯度变化特征。.

主要教学方法：

1、PPT多媒体和板书； 2、课堂分组讨论。

4.1 梯度功能材料的发展与定义 4.2 梯度功能材料的制备技术 4.3 梯度功能材料的应用 4.4 梯度功能材料的特性评价

本章基本概念：

梯度功能材料、等离子喷涂、自蔓延合成SHS、激光熔敷、粉末冶金

本章思考题:

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1．梯度功能材料的特点。

2．叙述几种主要的梯度功能材料的制备技术。

第五章

磁记录材料（教学时数4）

教学目的：本章主要在讲述水平记录和垂直记录原理的基础上，介绍磁带、磁盘、磁头等几种典型磁记录材料的组成、结构和性能的特点，并对磁光材料的克尔效应和法拉第效应，以及磁光盘的结构进行介绍。

教学重点：不同磁记录材料的读写过程及相关的效应。

教学难点: 磁光材料读、写过程的相关机理及应用。.

主要教学方法： 1、PPT多媒体和板书； 2、在课程交流区进行讨论。

5.1 磁性材料在存储材料中的应用 5.2 磁记录原理 5.3 几种磁介质材料 5.4 磁光效应与磁光材料 5.5 常用磁光材料。

本章基本概念：

水平记录、垂直记录、杂化记录、磁光材料、克尔效应

本章思考题:

1．水平、垂直和杂化磁记录模式的区别。

2．对磁记录材料的要求。

3．简述磁光记录过程的主要特征。

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第六章

半导体存储器材料（教学时数4）

教学目的：本章在介绍ROM、RAM、EPROM、E2PROM和Flash基本器件结构和原理的基础上，着重讲解元素和化合物半导体的衬底材料、介质层材料和金属化材料的应用状况，同时也对相变存储和铁电存储的相关材料存储机理进行介绍。

教学重点：半导体存储器ROM、RAM、EPROM、E2PROM和Flash基本器件结构和原理

教学难点: 半导体存储器件不同部分对材料的要求.

主要教学方法：

1、PPT多媒体和板书； 2、器件微观结构表征图示。

6.1 常见只读存储器ROM结构和机理

6.2 RAM存储单元结构

6.3 当前常见计算机存储器介绍

6.4 EPROM、E2PROM和Flash基本器件结构和原理 6.5 相变存储和铁电存储特点

本章基本概念：

ROM、RAM、EPROM、E2PROM和Flash存储器、相变存储、铁电存储

本章思考题:

1．叙述不同半导体存储器材料的特点。

第七章 光纤材料（教学时数4）

教学目的：在讲解光纤光导原理的基础上，本章进一步介绍了光纤的分类与特征，

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以及不同的玻璃光纤和高聚物光纤的制备方法及组成特征。结合学科前沿阐述了光子晶体光纤的基本概念。

教学重点：不同类型光纤的光传导模式，以及光纤组分、结构对光纤窗口吸收光谱的影响。

教学难点: 光传导原理以及光纤损耗及改善

主要教学方法：

1、PPT多媒体和板书； 2、动画说明光纤原理。

7.1 光导原理与光纤 7.2 光纤种类与特征 7.3 不同玻璃光纤的制备方法 7.4 高聚物光纤的发展与应用 7.5 光子晶体光纤简介

本章基本概念：

光传导原理、单模光纤、多模光纤、光子晶体、全反射、周期性介质

本章思考题:

1．比较不同种类光纤的特征。

2．简述光子晶体基本原理。

第八章 智能材料（教学时数4）

教学目的：本章主要讲述智能材料的定义、特征、分类和研究现状及应用。强调了目前智能材料主要的研究方向，并对金属、电流和磁流变体、电致变色、智能凝胶和形状记忆高分子等智能材料的特征进行了介绍。让学生在几类智能材料的基础上，掌握智能材料的基本特点。

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