TD-SCDMA接入分析(V1.1) - 图文

第1章 接入相关知识理论介绍

LTPL_DwPTS来进行估算。

：UE到NODEB之间的路径损耗（dB）。UE可以根据NODEB在

DwPTS时隙（或P-CCPCH信道）发射的功率与UE端在该时隙接收到的码功率

LTPL_DwPTS?LNodeB?LRX其中，

LNodeB为NODEB在DwPTS时隙发射功率（或TS0时隙的P-CCPCH信

号码功率），该信息可由信息信息广播获得；LRX为UE端在DwPTS时隙（或TS0时隙的P-CCPCH）上接收到的信号码功率。

L0：UE

到NODEB之间路径损耗的长时间平均值(dB)。其意义和计算与

基本相同。

LTPL_DwPTSRNodeB：

NODEB在给定信道上期望的接收功率。在UpPCH上建立上行同步时，

其值取自系统信息广播参数

Qrxlevmin。在PRACH信道发送连接请求消息时，

使用从FPACH信道上收到的参数TPLC；

?：UE端用于描述路径损耗的加权因子（0???1）。其值与两次测量之间

的时间间隔有关；

n:连接发送SYNC-UL的次数。

?P：两次发送SYNC-UL之间的功率增量，其值由系统信息广播；

Pmax：小区允许的最大发射功率，其值取自系统信息广播参数

UE_TXPWR_MAX_RACH；

1.3.2 闭环功率控制

闭环功率控制用于RRC连接模式，通信双方通过物理层信令来控制对等层实体的发射功率。闭环功率控制由两个控制环组成： 外环(Outer loop)功率控制

外环功率控制用于控制信号的传输质量，由网络端的高层（RRC）按UE所配置时隙的负载情况给出一个SIR的目标值：SIRTARGET。 内环(Inner loop)功率控制

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接入分析

UE通过高层信令收到SIRTARGET值以后，以该值作为内环功率控制的一个参考值。若接收信号的SIR大于SIRTARGET，则通过物理层控制信令TPC请求网络发射功率降低一步（步长值由系统信息广播）；反之，若接收信号的SIR小于等于SIRTARGET，则请求网络端将发射功率增加一步。内环功率控制过程也于网络端的功率控制。

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第2章 信令流程

2.1 呼叫接入流程

典型的呼叫信令流程包括主叫信令流程、被叫信令流程和呼叫释放信令流程。 对一个主叫过程来说，如果之前UE没有建立RRC连接，则先建立RRC连接，再通过初始直传建立传输NAS消息的信令连接，最后建立RAB。

被叫过程包括了寻呼过程，在接入层内与主叫过程很类似，其它区别主要体现在NAS消息上。

2.1.1 主叫流程

主叫信令主要分为几个阶段：RRC连接建立—>直传信令－>通过RAB建立业务。 RRC连接是UE与UTRAN的RRC协议层之间建立的一种双向点到点的连接，在UE与UTRAN之间传输无线网络信令。UE处于空闲模式下，当UE的非接入层要求建立信令连接时，UE将发起RRC建立请求。每一个UE在尝试建立的过程中，只能建立一次RRC连接。

IU口信令流程是在UE与UTRAN之间的RRC连接建立成功后，UE发起的。IU信令连接建立了UE与CN之间的信令通路。主要传输UE与CN之间非接入层信令。在UTRAN中，非接入层信令是通过上下行直接传输信令透明传输的，RNC不做任何处理。UE发送到CN的消息，通过上行直传（Uplink Direct Transfer）发送到RNC，RNC将其转化为直传消息（Direct Transfer）发送到CN；CN发送到UE的消息，通过直传消息发送到RNC，RNC将其转化为下行直传消息（Downlink Direct Transfer）发送到UE。

RAB是指用户面的承载，用于UE和CN之间传送语音、数据及多媒体业务，UE首先完成RRC建立，才能建立RAB。RAB的建立是由CN发起，UTRAN执行的一个过程。

RAB建立完成后，进行上行和下行的直接传输过程，振铃后，摘机进行通话。 详见《TD-SCDMA信令流程解读》。 完整的起呼流程为：

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接入分析

图 2.1-1 起呼流程图

2.1.2 被叫流程

相对主叫信令来说，被叫信令包含有一个寻呼的过程，其他流程同主叫信令流程。 寻呼流程和问题定位分析，详见《TD-SCDMA寻呼分析指导书》。

2.1.3 呼叫接入层3信令流程

起呼失败通常发生在弱场，也有因为干扰原因导致在强场的起呼成功率低的现象。 从路测仪上看到的一个完整的Uu口主叫信令流程如下图。和从RNC侧看到的信令有对应关系。在分析问题时，需要两者结合共同定位。

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