半导体器件（附答案）

当二者都反接时，则输出电压为输入电压；若D1反接，D2正接，则稳压值为V1+0.7V，当二者都正接，则稳压值为0.7+0.7＝1.4V，若D1正接，D2反接，则输出仍为输入电压。 故只有两种稳压值。 16.B 17.C 18.C

17题中，正向电流与正向电压的关系为第2题C中的公式，电流随电压按指数形式增加。 18题中，原题无图，故从别的资料中找到的一幅图，序号不相对应。 21.（1）D（2）B 23.C 24.（1）C（2）C 26.C 27.A 28.（1）A（2）C 29.A 30.C 31.（1）C（2）B

注意：锗二极管和硅二极管的正向压降、死区电压和反向饱和电流的取值范围如下所示： 二极管 锗 硅 正向压降/V 0.2~0.3 0.6~0.7 死区电压/V 0.1~0.2 0.4~0.6 反向饱和电流 大，uA级 小，nA级 一般典型值锗管Von?0.3V，Vth?0.1V，硅管Von?0.7V，Vth?0.5V

此处选项只有0.2V，故第（2）选B。 判断题：

1~5. NYNYY 6~8. NNN

11.N 12.N 13.N 14.N 15.N

11题与选择题第5题类似，对PN结加正向电压，扩散运动大于漂移运动，PN结内的电流便由起支配地位的扩散电流所决定；对PN结加反向电压，漂移运动大于扩散运动，PN结内的电流便由起支配地位的漂移电流所决定。

12题中PN结的结电容是势垒电容和扩散电容的总效果，结电容的大小除了与本身结构和工艺有关外，还与外加电压有关。当PN结处于正向偏置时，正向电阻很小，结电容较大，主要取决于扩散电容；当PN结处于反向偏置时，反向电阻很大，结电容较小，主要取决于势垒电容。当反向电压增加时，PN结厚度增大，PN结厚度跟势垒电容的关系，类似平板电容器跟极间距离成反比的关系。故PN结的结电容应该是减小。 16.Y 17.N 18.N 19.Y

18题半导体的电导率很高，但掺入微量杂质后，电阻率会发生很大的变化，导电能力可增加几十万乃至几百万倍。

21.Y 22.N 24.N 25.Y 26~30.YNYNY

29题中

二极管的管压降：硅二极管（不发光类型）正向管压降0.7V，锗管正向管压降为0.3V,发光二极管正向管压降为随不同发光颜色而不同。

1. 直插超亮发光二极管压降

主要有三种颜色，然而三种发光二极管的压降都不相同，具体压降参考值如下： 红色发光二极管的压降为2.0--2.2V 黄色发光二极管的压降为1.8—2.0V

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绿色发光二极管的压降为3.0—3.2V 正常发光时的额定电流约为20mA。

2. 贴片LED压降

红色的压降为1.82-1.88V，电流5-8mA 绿色的压降为1.75-1.82V，电流3-5mA 橙色的压降为1.7-1.8V，电流3-5mA 兰色的压降为3.1-3.3V，电流8-10mA 白色的压降为3-3.2V，电流10-15mA. LED压降及电流

1﹑ 黃綠(565-575nm)﹑黃(585-595nm)﹑紅(600-650nm) led的壓降在1.8-2.4v(平均2.0v)﹔ 工作電流20ma = (5.0-2.0)v/150Ω

2﹑ 藍(465-475nm)﹑綠(500-535nm)﹑白光 led的壓降在2.8-4.0v(平均3.3v)﹔ 工作電流20ma = (5.0-3.3)v/85Ω

3.1﹑ 5.0指led和限流電阻兩端的輸入電壓﹔ 3.2﹑ 被減去的壓降是led的壓降﹔

3.3﹑ 阻值是根據led 20ma工作時﹐電阻需要承擔的 壓降計算得知的

以上計算都是根據led 的20ma工作平均壓降計算的 LED的正向壓降:不同光(波長),會不同.

最大工作電流:30mA/25℃:一般亮度的可見光; 50-300mA/℃:高亮度的可見光LED； 31~35.NYNNN 36~40.YYYYY 41.Y 43.N.

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