半导体器件（附答案）

第一章、半导体器件（附答案）

一、选择题

1．PN 结加正向电压时，空间电荷区将 ________

A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 2．设二极管的端电压为 u ，则二极管的电流方程是 ________

A. B. C.

3．稳压管的稳压是其工作在 ________

A. 正向导通 B. 反向截止 C. 反向击穿区 4．UGS?0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 ________

A. 结型场效应管 B. 增强型 MOS 管 C. 耗尽型 MOS 管 5．对PN结增加反向电压时，参与导电的是 ________

A. 多数载流子 B. 少数载流子 C. 既有多数载流子又有少数载流子 6．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量 _____ A. 增加 B. 减少 C. 不变

7．用万用表的 R × 100 Ω档和 R × 1K Ω档分别测量一个正常二极管的正向电阻，两次测量结果 ______

A. 相同 B. 第一次测量植比第二次大 C. 第一次测量植比第二次小 8．面接触型二极管适用于 ____

A. 高频检波电路 B. 工频整流电路

9．下列型号的二极管中可用于检波电路的锗二极管是： ____ A. 2CZ11 B. 2CP10 C. 2CW11 D.2AP6

10．当温度为20℃时测得某二极管的在路电压为UD?0.7V。若其他参数不变，当温度上升到40℃，则UD的大小将 ____

A. 等于 0.7V B. 大于 0.7V C. 小于 0.7V

11．当两个稳压值不同的稳压二极管用不同的方式串联起来，可组成的稳压值有 _____ A. 两种 B. 三种 C. 四种

12．在图中，稳压管VW1和VW2的稳压值分别为6V和7V，且工作在稳压状态，由此可知输出电压UO为 _____

A. 6V B. 7V C. 0V D. 1V

1

13．将一只稳压管和一只普通二极管串联后，可得到的稳压值是（ ） A. 两种 B. 三种 C. 四种 14．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 __（1）__，而少数载流子的浓度与 __（2）__有很大关系。

（1）A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 D. 晶体缺陷 （2）A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 D. 晶体缺陷

15．当 PN 结外加正向电压时，扩散电流__（1）__漂移电流，耗尽层__（2）__，当 PN 结外加反向电压时，扩散电流 __（3）__漂移电流，耗尽层 __（4）__。

（1）A. 大于 B. 小于 C. 等于 D. 变宽 E. 变窄 F. 不变 （2）A. 大于 B. 小于 C. 等于 D. 变宽 E. 变窄 F. 不变 （3）A. 大于 B. 小于 C. 等于 D. 变宽 E. 变窄 F. 不变 （4）A. 大于 B. 小于 C. 等于 D. 变宽 E. 变窄 F. 不变

16．甲、乙、丙三个二极管的正、反向特性如表 1.6 所示，你认为哪一个二极管的性能最好？

表 1.6 管号 甲 乙 丙 加 0.5V 正向 电压时的电流 0.5mA 5 Ma 2 mA 加反向电压 时的电流 1uA 0.1 uA 5 uA 哪个性能好？ （） （） （）

A. 甲 B. 乙 C. 丙

17. 一个硅二极管在正向电压UD?0.6V时，正向电流ID?10mA。若UD增大到0.66V （即增加10%），则电流ID________

A. 约为11mA（也增加10%） B. 约为20mA（增大1倍） C. 约为100mA（增大到原先的10倍） D. 仍为10 mA（基本不变）

18. 在如下图所示的电路中，当电源V1=5V时，测得I=1mA 。若把电源电压调整V1=10V，则电流的大小将V1=5V是 ________。

A. I =2mA B. I〈2mA C. I〉2mA

21. 在P型半导体中，多数载流子是 _（1）_，在N型半导体中，多数载流子是 _（2） （1）A. 正离子 B. 自由电子 C. 负离子 D. 空穴 （1）A. 正离子 B. 自由电子 C. 负离子 D. 空穴 23. 本征半导体温度升高以后，自由电子和空穴的变化情况是________。

A. 自由电子数目增加，空穴数目不变 B. 空穴数目增加，自由电子数目不变 C. 自由电子和空穴数目等量增加

24. N 型半导体__（1）__， P 型半导体__（2）__。

（1）A. 带正电 B. 带负电 C. 呈电中性

2

（2）A. 带正电 B. 带负电 C. 呈电中性 26. PN 结外加反向电压时，其内电场________。

A. 减弱 B. 不变 C. 增强

27. PN 结在外加正向电压的作用下，扩散电流_______漂移电流。 A. 大于 B. 小于 C. 等于

28. 在本征半导体中加入__（1）__ 元素可形成N型半导体，加入__（2）__ 元素可形成P型半导体。

（1） A. 五价 B. 四价 C. 三价 （2） A. 五价 B. 四价 C. 三价 29. 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 _________

A. 增大 B. 不变 C. 减小

30. 工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大22μ A时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为 __________

A. 83 B. 91 C. 100

31. 硅二极管上外加正向电压很低时，正向电流几乎为零，只有在外加电压达到约_____V 时，正向电流才明显增加，这个电压称为硅二极管的死区电压。与硅二极管一样，只有在锗三极管上外加正向电压达到约_____V 时，正向电流才明显增加。这个电压称为锗二极管的死区电压。

（1） A. 0.7V B. 0.2V C. 0.5V D.0.3V （2） A. 0.7V B. 0.2V C. 0.5V D.0.3V 二、判断题(正确的选“Y”，错误的选“N”)

1. P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。（Y） （N） 2. 在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质改型为P型半导体。（Y） （N） 3. P型半导体带正电，N型半导体带负电。（Y） （N） 4. PN结内的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。（Y） （N） 5. 漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。（Y） （N） 6. 由于PN结交界面两边存在电位差，所以，当把PN结两端短路时就有电流流过。（Y） （N） 7. PN结方程可以描述 PN结的正向、特性和反向特性，也可以描述PN结的反向击穿特性。（Y） （N）

8．N型半导体的多数载流子是电子，因此N型半导体带负电。（Y） （N） 11．在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。（Y） （N） 12．当外加反向电压增加时， PN 结的结电容将会增大。（Y） （N）

13．通常的 BJT 管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。（Y） （N） 14．通常的 JEFT 管在漏极和源极互换使用时，仍有正常的放大作用。 （Y） （N） 15．当环境温度升高时，本征半导体中自由电子的数量增加，而空穴的数量基本不变。 （Y） （N）

16．当环境温度升高时，本征半导体中空穴和自由电子的数量都增加，且它们增加的数量相等。（Y） （N）

17． P 型半导体中的多数载流子都是空穴，因此， P 型半导体带正电。（Y） （N） 18． PN 结中的空间电荷区是由带电的正，负离子形成的，因而它的电阻率很高。 （Y） （N）

19． 半导体二极管是根据 PN 结单向导电的特性制成。因此，半导体二极管也具有单向导电性。（Y） （N）

3

21． 当二极管两端加正向电压时，二极管中有很大的正向电流通过。这个正向电流是由 P 型和 N 型半导体中多数载流子的扩散运动产生的。（Y） （N）

22． 用万用表判断二极管的极性，若测得二极管的电阻很小，那么，与万用表的红表笔相接的电极是二极管的负极，与黑表笔相接的是二极管的正极。 （Y） （N） 24．用万用表欧姆挡测量二极管的正相电阻，用 R × 1 档测出的电阻值和用 R × 100 挡测出的电阻值不相同，说明这个二极管的性能不稳定。（Y） （N） 25．漂移电流是少数载流子形成的。（Y） （N）

26．当晶体二极管加反向电压时，将有很小的反向电流通过，这个反向电流是由 P 型和 N 型半导体中少数载流子的漂移运动产生的。（Y） （N）

27. 普通二极管反向击穿后立即损坏，因为击穿都是不可逆的。（Y） （N） 28. 正偏时二极管的动态内阻随着流过二极管的正向电流的增加而减小。（Y） （N） 29. 发光二极管内部仍有一个PN结，因而他同普通二极管一样导通后的正向压降为0.3V或0.7V 。（Y） （N）

30. 发光二极管的发光颜色是由采用的半导体的材料决定的。（Y） （N） 31. 稳压二极管只要加上反向电压就能起到稳压作用。（Y） （N） 32. 整流二极管一般都采用面接触型或平面型硅二极管。（Y） （N） 33. 硅二极管存在一个结电容，这仅是由引脚和壳体形成的。（Y） （N） 34. P 型半导体可以通过在本征半导体中掺入五价磷元素而得到。（Y） （N） 35. N 型半导体可以通过在本征半导体正掺入三价铟元素而得到。（Y） （N） 36. N 型半导体中，掺入高浓度的三价元素，可以改变为 P 型半导体。（Y） （N） 37．漂移电流是在内电场作用先形成的。（Y） （N） 38．导体的价电子易于脱离原子核的束缚而在晶格中运动。（Y） （N） 39．导体中的空穴的移动是借助于相邻价电子于空穴复合而移动的。（Y） （N） 40．施主杂质成为离子后是正离子。（Y） （N） 41．受主杂质成为离子后是负离子。（Y） （N） 43．极管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外，还可以描述二极管的击穿特性。 （Y） （N）

题目系太原电力高等专科学校精品课程—电子技术基础 http://211.82.16.84/wljx/jpkc/dzjs/exam/md01.asp

其中缺少题号的题目是与已有的题目重复，故没有写出。答案是本人参考各资料整理，旨在学习交流，如有错误，敬请指正。liuyj_chuxi@163.com

答案： 选择题：

1~5. ACCAB 6~10. ACBDC

第9题中，2表示二极管，三极管则为3，A、B表示材料锗，C、D表示材料硅，A、C表示N型，P表示普通，W表示稳压，Z表示整流，后面阿拉伯数字表示序号。 11~15. CDA(1)C(2)A(1)A(2)E(3)B(4)D

11题中两个稳压管D1和D2，稳定电压分别是V1和V2，正向导通电压都是0.7V，当D1和D2都反接即工作在稳压状态时，稳定电压为V1+V2，若都正接即导通状态时，稳定电压为07V+0.7V＝1.4V，若一个反接一个正接，则为V1+0.7V或V2+0.7V，所以共有4个稳压值。 13题中，稳压管D1和普通二极管D2，D1的稳定电压是V1，二者的正向导通电压都是0.7V，

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